[發明專利]一種基于無機鈣鈦礦的光電探測器及其制備方法

有效

• 申請號: 201810085908.5
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN108258126B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 晉佳佳
• 申請（專利權）人: 蕪湖樂知智能科技有限公司
• 主分類號: H01L51/44
• 分類號: H01L51/44;H01L51/42;H01L51/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種無機鈣鈦礦的光電探測器的制備方法，其特征在于：所述無機鈣鈦礦的光電探測器的制備包括以下步驟：

步驟S1、提供一ITO透明導電襯底，并對ITO透明導電襯底清洗和預處理；

步驟S2、在ITO透明導電襯底上制備陽極修飾層，首先采用旋轉涂布的方法在ITO透明導電襯底上生長一層PEDOT:PSS第一陽極修飾層，然后將長有PEDOT:PSS襯底轉移至真空鍍膜機中，在真空度小于10^-4Pa條件下，通過真空熱沉積的方法生長一層SubPc第二陽極修飾層，SubPc第二陽極修飾層的厚度為5-10 nm；

步驟S3、在陽極修飾層上制備PbBr2層，配制濃度為0.8M的PbBr2的二甲基甲酰胺(DMF)溶液，并用聚四氟乙烯過濾器進行過濾，獲得澄清的PbBr2的DMF溶液，采用旋轉涂布的方法將PbBr2的DMF溶液旋涂于陽極修飾層之上，旋轉涂覆過程中，控制勻膠機的轉速在3000rpm，旋轉涂敷時間為30-50s，PbBr2旋涂完畢后，將長有PbBr2的襯底放置到70℃的加熱板上，退火處理30分鐘；

步驟S4、制備CsPbBr3無機鈣鈦礦光敏層，使用燒杯配置濃度為10mg/ml的CsBr的甲醇溶液100ml，加熱至50℃并保持，然后將長有PbBr2的襯底放入100ml的10mg/ml的CsBr的甲醇溶液中浸泡，浸泡時間為10分鐘，浸泡過程中，每分鐘滴加0.1ml的濃度為10mg/ml的聚乙二醇(PEG)的二甲基甲酰胺(DMF)溶液，浸泡完成后取出并用異丙醇溶液沖洗，使用干燥的氮氣吹干后，在90℃的加熱板上退火20分鐘完成CsPbBr3無機鈣鈦礦光敏層的制備；

步驟S5、將長有CsPbBr3無機鈣鈦礦光敏層的襯底轉移至真空鍍膜機中，在真空度小于10^-4Pa條件下，通過真空熱沉積的方法依次生長一層C60第一陰極修飾層和一層Bphen 第二陰極修飾層，最后在陰極修飾層上沉積一層Al作為反射電極完成探測器器件的制備。

2.根據權利要求1所述的一種無機鈣鈦礦的光電探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟S1透明導電基底進行清洗和預處理的方法為，把透明基底依次放入20％氫氧化鈉水溶液、丙酮、乙醇和異丙醇中進行超聲清洗，每次超聲10min，超聲完畢后置于120℃的烘箱中20分鐘進行烘干，然后紫外臭氧處理10min待用。

3.根據權利要求1所述的一種無機鈣鈦礦的光電探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟S2中PEDOT:PSS第一陽極修飾層的厚度在30-50nm。

4.根據權利要求1所述的一種無機鈣鈦礦的光電探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟S3中聚四氟乙烯過濾器的孔徑不大于0.2微米。

5.根據權利要求1所述的一種無機鈣鈦礦的光電探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟S4 其中選用的PEG的分子量為20000道爾頓。

6.根據權利要求1所述的一種無機鈣鈦礦的光電探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟S5中C60第一陰極修飾層、Bphen 第二陰極修飾層和Al反射電極的厚度依次為20-50nm，5-10 nm和100-1000 nm。

7.一種根據權利要求1所述的制備方法制備的光電探測器。