[發(fā)明專利]PECVD反應腔以及用于PECVD反應腔的支撐針

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810085370.8
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN108203817B
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發(fā)明（設計）人: 賴彩玲;周賀;何小強;張銳;黃舜愿;彭新林
• 申請（專利權(quán)）人: 福州京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/458
• 代理公司: 11438 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王衛(wèi)忠;袁禮君

本公開提供一種PECVD反應腔以及用于PECVD反應腔的支撐針，屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域。該用于PECVD反應腔的支撐針包括：針芯；針套，包覆于所述針芯之外；以及至少一層墊片，設置在所述針芯和所述針套的底部；其中所述針芯與所述墊片對應所述針芯以及所述針套的部分為導電材質(zhì)，所述針套為非導電材質(zhì)。該支撐針通過在針芯采用導電材質(zhì)，并將針芯以及墊片接地，使得整根支撐針接地，可以減少Pin區(qū)串聯(lián)的電容數(shù)量，提高Pin區(qū)等離子體密度，減少Pin區(qū)域非Pin區(qū)的電容差異。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種PECVD反應腔以及用于PECVD反應腔的支撐針。

背景技術(shù)

在TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器英文)行業(yè)中，支撐針Lift Pin被廣泛的應用于支撐玻璃基板。但是由于支撐針Pin的使用，容易造成Pin區(qū)與非Pin區(qū)的等離子體密度差異，進而導致在Pin區(qū)生成的薄膜與非Pin區(qū)生成的薄膜存在差異。

在PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強化學的氣相沉積)工藝中，通過借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的反應氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，從而在基片上沉積出所期望的薄膜。在Pin區(qū)，Pin的針帽(即Cap)部分為鋁Al或石墨材料，Pin的支撐部分為通體陶瓷，而下部電極接地，Pin的Cap不接地，這樣造成Pin與下部電極形成電容，與非Pin區(qū)的電容存在差異，使得兩個區(qū)域的等離子體密度存在差異。因此，Pin區(qū)生成的薄膜與正常的非Pin區(qū)生成的薄膜也存在差異，形成Mura，影響產(chǎn)品質(zhì)量與良率，同時影響電學特性，從而影響顯示效果。

因此，現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案還存在有待改進之處。

需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的目的在于提供一種PECVD反應腔以及用于PECVD反應腔的支撐針，進而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導致的由于Pin區(qū)生成的薄膜與正常的非Pin區(qū)生成的薄膜也存在差異形成Mura的問題。

本公開的其他特性和優(yōu)點將通過下面的詳細描述變得清晰，或者部分地通過本公開的實踐而習得。

根據(jù)本公開的一個方面，提供一種支撐針，用于反應腔中，包括：

針芯；

針套，包覆于所述針芯之外；以及

至少一層墊片，設置在所述針芯和所述針套的底部；

其中所述針芯與所述墊片對應所述針芯以及所述針套的部分為導電材質(zhì)，所述針套為非導電材質(zhì)。

在本公開的一種示例性實施例中，還包括：

針帽，位于所述針芯以及所述針套的頂部之上，所述針帽位于基座的一第一容置槽中，且所述基座上還開設有一與所述第一容置槽貫穿的第二容置槽，用于容納所述針芯和所述針套，所述第一容置槽的面積大于所述第二容置槽的面積；

其中所述針帽為導電材質(zhì)。

在本公開的一種示例性實施例中，還包括：

滾筒套，包覆于所述針套之外，所述滾筒套還位于所述第二容置槽中，且所述滾筒套的長度大于等于所述基座的厚度。

在本公開的一種示例性實施例中，位于所述第二容置槽中的部分所述滾筒套中還包括：多個滾筒，用于改變所述針帽的頂面相對于所述基座的上表面的高度。