[發明專利]遮擋壓盤組件、半導體加工裝置和方法

有效

• 申請號: 201810085194.8
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN108060406B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發明（設計）人: 李冬冬;郭浩;趙夢欣;趙晉榮
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/35
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒;王小會

1.一種遮擋壓盤組件，包括：

遮擋壓盤，所述遮擋壓盤面向基座的一側包括邊緣部；以及

移動部件，用于使所述遮擋壓盤在第一位置和第二位置之間移動；

其中，在所述第一位置時，所述邊緣部可與所述基座承載的待加工件的邊緣區域接觸，且所述遮擋壓盤在所述基座的支撐面上的投影完全覆蓋所述待加工件在所述基座的支撐面上的投影；在所述第二位置時，在垂直于所述基座的支撐面的方向上，所述遮擋壓盤與所述基座的支撐面不重疊；

所述移動部件包括：

旋轉軸；

旋轉臂，與所述旋轉軸相連，被配置為在所述旋轉軸的驅動下圍繞所述旋轉軸旋轉，所述遮擋壓盤連接到所述旋轉臂面向所述基座的一側，

所述旋轉臂上設有豎直貫通的定位孔，所述遮擋壓盤背離所述基座的一側依次設置有連接部和定位部，所述定位部與所述定位孔配合，使所述遮擋壓盤可吊掛在所述旋轉臂上。

2.根據權利要求1所述的遮擋壓盤組件，其中，所述遮擋壓盤與所述移動部件活動連接，使得所述遮擋壓盤能沿垂直于所述基座的支撐面的方向相對所述移動部件移動。

3.根據權利要求1所述的遮擋壓盤組件，其中，所述定位孔被配置為其內徑從上到下逐漸減小，所述定位部的形狀與所述定位孔的形狀相配合，所述連接部的外徑不大于所述定位孔的最小內徑。

4.根據權利要求3所述的遮擋壓盤組件，其中，所述定位孔為圓臺形孔，所述定位部為與所述定位孔配合的圓臺形，所述連接部為圓柱形。

5.根據權利要求1所述的遮擋壓盤組件，其中，所述邊緣部被配置為沿所述遮擋壓盤的邊緣周向分布的突出部，所述突出部朝向所述基座突出。

6.根據權利要求5所述的遮擋壓盤組件，其中，所述突出部被配置為沿所述遮擋壓盤的周向連續設置。

7.根據權利要求5所述的遮擋壓盤組件，其中，所述突出部被配置為沿所述遮擋壓盤的周向間斷設置。

8.一種半導體加工裝置，包括腔室，所述腔室包括所述基座和如權利要求1-7任一項所述的遮擋壓盤組件；

所述基座內設有背吹管路，所述背吹管路被配置為通入背吹氣體；

所述基座具有所述支撐面，所述支撐面被配置為支撐所述待加工件，所述基座被配置為可沿垂直于所述支撐面的方向移動。

9.根據權利要求8所述的半導體加工裝置，其中，所述遮擋壓盤在第二位置時，所述支撐面上的所述待加工件背離所述基座的整個表面暴露于所述腔室的工藝環境。

10.一種半導體加工方法，采用如權利要求8所述的半導體加工裝置，包括工藝處理步驟和冷卻步驟，其中，

所述工藝處理步驟包括：使所述遮擋壓盤保持在所述第二位置，對所述待加工件的整個表面進行工藝處理；

所述冷卻步驟包括：停止工藝處理，將所述遮擋壓盤從所述第二位置移動到所述第一位置，并使所述邊緣部與所述基座承載的待加工件的邊緣區域接觸，對所述待加工件進行背吹冷卻。

11.根據權利要求10所述的半導體加工方法，其中，所述冷卻步驟中將所述遮擋壓盤從所述第二位置移動到所述第一位置之后，進一步包括：控制所述基座的升降高度，當所述邊緣部接觸所述待加工件的邊緣后，繼續升高所述基座，使所述遮擋壓盤相對所述移動部件向上移動。

12.根據權利要求10所述的半導體加工方法，其中，所述工藝處理包括物理氣相沉積工藝。