[發明專利]一種吸嘴、吸嘴組件以及卸料方法在審
| 申請號: | 201810085147.3 | 申請日: | 2018-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN108288601A | 公開(公告)日: | 2018-07-17 |
| 發明(設計)人: | 盧吳越;駱海銀 | 申請(專利權)人: | 環維電子(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 吸嘴主體 通氣道 吸嘴 氣囊部 吸嘴組件 吸附面 凸臺 吸附 卸料 塑料薄膜 薄膜覆蓋 氣囊連通 曲面形狀 上表面 粘結力 包絡 放料 緊固 充氣 連通 恢復 支撐 | ||
本發明公開了一種吸嘴、吸嘴組件以及卸料方法。其中吸嘴包括吸嘴主體,所述吸嘴主體上包括有第一通氣道以及與支撐吸附對象的吸附面,所述吸附面上布設有薄膜。所述薄膜為塑料薄膜。所述薄膜與所述吸嘴主體包絡形成氣囊部,所述吸嘴進一步包括與所述氣囊連通的第二通氣道。所述第二通氣道與所述第一通氣道連通。所述吸嘴主體上包括有凸臺,所述凸臺的上表面為所述吸附面,所述薄膜覆蓋在所述凸臺上方并且緊固在所述凸臺下方的平面上形成所述氣囊部。充氣后的氣囊部具備恢復本來的曲面形狀的趨勢,這種恢復形狀的趨勢使得產品與薄膜的接觸面積逐漸減少,相應的也減少了產品與薄膜之間的粘結力,有助于實現放料動作。
技術領域
本發明涉及吸附結構技術領域,尤其指一種吸嘴、吸嘴組件以及卸料方法。
背景技術
半導體制程中的自動切割治具機臺(例如Jig saw機臺)上一般通過橡膠材質的吸嘴吸附產品,如圖1和圖2所示,其一般工作流程是,吸料時通過吸嘴的第一通道孔110吸氣以吸住產品200,放料時通過第一通道孔110吹氣或頂針將產品200從吸嘴上卸下。
為保證吸料的穩定,吸嘴的吸附面120與物料之間需緊密貼合。但在一些狀況下由于吸力過大使得產品200的表面與吸附面120之間的吸附過于緊密,或產品200本身表面有一定黏性時,吸嘴吹氣就無法將產品和吸嘴分離,也即無法順利進行放料。
發明內容
本發明的目的是提供一種吸嘴、吸嘴組件以及卸料方法,可以順利進行放料。
本發明提供的技術方案如下:一種吸嘴,包括吸嘴主體,所述吸嘴主體上包括有第一通氣道以及支撐吸附對象的吸附面,所述吸附面上布設有薄膜。
本技術方案,薄膜可以將產生粘結力的吸嘴同吸附對象間隔開,有利于放料。薄膜厚度較薄,材質柔軟,易于發生形變,有助于吸附對象與薄膜逐漸脫離,促進放料動作。
具體的,所述薄膜為塑料薄膜。
優選的,所述薄膜與所述吸嘴主體包絡形成氣囊部,所述吸嘴進一步包括與所述氣囊連通的第二通氣道。
本技術方案,充氣后的氣囊部具備恢復本來的曲面形狀的趨勢,這種恢復形狀的趨勢使得產品與薄膜的接觸面積逐漸減少,相應的也減少了產品與薄膜之間的粘結力,有助于實現放料動作。
優選的,所述第二通氣道與所述第一通氣道連通。
本技術方案,氣囊部同吸嘴的吸附動作同步控制,簡化了控制結構。
具體的,所述吸嘴主體上包括有凸臺,所述凸臺的上表面為所述吸附面,所述薄膜覆蓋在所述凸臺上方并且緊固在所述凸臺下方的平面上形成所述氣囊部。
具體的,所述凸臺延伸排布為封閉圖形形狀,所述氣囊部沿所述凸臺的排布軌跡設置。
具體的,所述凸臺沿矩形或圓形排布。
本發明還公開一種吸嘴組件,包括:
安裝部,以及,
若干前述的吸嘴,相鄰裝設在所述安裝部上。
其中,不同吸嘴的所述氣囊部之間相互連通。
本技術方案,包括多個吸嘴的吸嘴組件,每個吸嘴的氣囊部可以互相連通以統一調控,同時也有簡化結構的效果。
本發明還公開一種卸料方法,使用前述的吸嘴或前述的吸嘴組件實施,其步驟為:所述第一通氣道朝向吸附對象吹氣,并且所述第二通氣道向所述氣囊部中吹氣。
本發明提供的一種吸嘴、吸嘴組件以及卸料方法,能夠帶來以下至少一種有益效果:
1、薄膜可以將產生粘結力的吸嘴同吸附對象間隔開,有利于放料。薄膜厚度較薄,材質柔軟,易于發生形變,有助于吸附對象與薄膜逐漸脫離,促進放料動作。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





