[發(fā)明專利]基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810084226.2
• 申請(qǐng)日: 2018-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN110098276A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘良兆;程丙勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海奕瑞光電子科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/08
• 分類號(hào): H01L31/08;H01L31/18
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器，其特征在于，所述基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器包括：

基板；

閃爍體結(jié)構(gòu)層，包括閃爍體薄膜及透光防水薄膜；其中，所述閃爍體薄膜位于所述基板表面，所述透光防水薄膜貼附于所述閃爍體薄膜表面；

光接收器，位于所述閃爍體結(jié)構(gòu)層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器，其特征在于，所述基板為不透明基板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器，其特征在于，所述閃爍體薄膜包括碘化銫薄膜，所述碘化銫薄膜由若干個(gè)微米尺寸的柱狀晶體排列而成；所述透光防水薄膜貼附于所述柱狀晶體表面及裸露的所述基板表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器，其特征在于，所述透光防水薄膜包括無機(jī)透光防水薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器，其特征在于，所述透光防水薄膜包括透明氧化鋁薄膜或透明氧化硅薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器，其特征在于，所述透光防水薄膜的厚度介于1nm～95μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器，其特征在于，所述閃爍體薄膜邊緣至所述基板邊緣的距離小于100μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器，其特征在于，所述光接收器包括CMOS光接收器。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器，其特征在于，所述閃爍體結(jié)構(gòu)層還包括透光疏水層，所述透光疏水層貼附于所述透光防水薄膜表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器，其特征在于，所述透光疏水層包括有機(jī)高分子透光疏水層。

11.一種基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器的制備方法，其特征在于，所述基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器的制備方法包括如下步驟：

1)提供一基板；

2)于所述基板表面形成閃爍體薄膜；

3)于所述閃爍體薄膜表面形成透光防水薄膜；

4)提供一光接收器，將所述光接收器封裝于所述閃爍體薄膜及所述透光防水薄膜的上方。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器的制備方法，其特征在于，步驟3)中，采用物理氣相沉積工藝、化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝于所述閃爍體薄膜表面形成所述透光防水薄膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的基于窄邊框透明封裝的平板探測(cè)器的制備方法，其特征在于，步驟3)與步驟4)之間還包括于所述透光防水薄膜表面形成透光疏水層的步驟，步驟4)中，所述光接收器封裝于所述閃爍體薄膜、所述透光防水薄膜及所述透光疏水層的上方。