[發(fā)明專利]一種GaN基LED晶片金屬電極圖形制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810083553.6 | 申請日： | 2018-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN110098298B | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐曉強(qiáng);劉琦;閆寶華;肖成峰;徐現(xiàn)剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 261061 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 gan led 晶片 金屬電極 圖形 制作方法 | ||
1.一種GaN基LED晶片金屬電極圖形制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
a)制備生長完成外延層的GaN基外延片，該GaN基外延片自下而上分別為襯底層（1）、N型GaN層（2）、量子阱層（3）以及P型GaN層（4）,在外延片N區(qū)使用刻蝕機(jī)刻蝕到N型GaN層（2），形成N電極區(qū)；
b)在P型GaN層（4）上利用電子束蒸發(fā)臺生長ITO層（5），使用光刻膠制作掩膜圖形，利用濕法腐蝕工藝腐蝕出ITO圖形，腐蝕完成后對ITO層（5）進(jìn)行高溫退火處理，高溫退火處理時溫度為500-580℃，使用接觸式退火設(shè)備進(jìn)行退火處理，退火時間為10-15min；
c)在GaN基外延片放置于電子束蒸發(fā)臺中在真空環(huán)境下加熱蒸鍍一層氯化銫層（6），加熱蒸鍍氯化銫層（6）的溫度為100-150℃，氯化銫層（6）的厚度為3000-10000埃，蒸鍍速率為5-10埃/秒；
d)使用負(fù)性光刻膠在GaN基外延片表面進(jìn)行涂膠，將涂膠后的GaN基外延片放置到熱板上進(jìn)行第一次烘烤，涂膠厚度為5000-15000埃，第一次烘烤溫度為80-110℃，時間為3-10min；
e)將GaN基外延片進(jìn)行曝光操作，將曝光后的GaN基外延片放置到熱板上進(jìn)行第二次烘烤，第二次烘烤溫度為80-110℃，時間為3-10min；
f)將GaN基外延片放入顯影液中顯影，顯影時間為20-50秒，顯影液溫度為50-70℃，顯影液保持恒溫，顯影的同時進(jìn)行超聲處理，超聲完成后使用有機(jī)溶劑進(jìn)行去膠操作；
g)將GaN基外延片放置到電子束蒸發(fā)臺內(nèi)，在常溫真空環(huán)境下進(jìn)行金屬電極蒸鍍；
h)將GaN基外延片放置到純水中，進(jìn)行超聲處理；
i)使用粘性膜粘貼掉ITO層（5）上的氯化銫層（6）與附著在氯化銫層（6）表面的P、N金屬電極（7），使用粘性膜粘貼掉N型GaN層（2）上的氯化銫層（6）與附著在氯化銫層（6）表面的P、N金屬電極（7），得到金屬電極圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED晶片金屬電極圖形制作方法，其特征在于：所述步驟b)中利用電子束蒸發(fā)臺生長ITO層（5）時電子束蒸發(fā)臺腔室溫度為220-350℃，ITO層（5）的厚度為600-3600埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED晶片金屬電極圖形制作方法，其特征在于：所述步驟b)中光刻膠為正性光刻膠，光刻膠厚度為10000-30000埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED晶片金屬電極圖形制作方法，其特征在于：所述步驟c)中真空環(huán)境中的真空值不低于9.0E-6Torr。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED晶片金屬電極圖形制作方法，其特征在于：所述步驟f)中超聲處理中超聲功率為20-50kHz,超聲時間為3-5min，有機(jī)溶劑采用丙酮溶液，采用有機(jī)溶液去膠后進(jìn)行干燥處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基LED晶片金屬電極圖形制作方法，其特征在于：所述步驟h)中超聲處理中超聲功率為60-80kHz,超聲時間為5-10min。
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