[發(fā)明專利]包括緩沖層的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810083144.6
• 申請(qǐng)日: 2018-01-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108963041A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓丁澤;金善云;孟種先;鄭龍熙;趙珍錫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/12
• 分類號(hào): H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括：

襯底；

緩沖層，其位于所述襯底上，并且按次序包括第一層、第二層和第三層；以及

III族氮化物半導(dǎo)體層，其位于所述緩沖層上，

其中，所述第一層、所述第二層和所述第三層中的每一個(gè)包括包含鋁(Al)、氮(N)和氧(O)的組合物，并且

其中，所述第一層和所述第三層中的每一個(gè)的氧濃度(原子/cm³)的最小值均大于所述第二層的氧濃度(原子/cm³)的最小值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述第二層的氧濃度(原子/cm³)從所述第一層與所述第二層之間的界面至第二層的中心部分減小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述緩沖層的氧濃度(原子/cm³)在所述第二層具有最低值并且在所述第三層具有最高值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述第三層的氧濃度(原子/cm³)的最小值大于所述第一層的氧濃度(原子/cm³)的最小值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，包括在所述緩沖層中的所述第一層和所述第三層中的每一個(gè)的氧濃度在1E¹⁹至1E²⁴原子/cm³的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，包括在所述緩沖層中的所述第二層的氧濃度在1E¹⁸至1E²³原子/cm³的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中：

所述第一層的厚度小于所述第二層的厚度，并且

所述第三層的厚度小于所述第二層的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述第一層和所述第三層中的每一個(gè)的厚度在0.3至3nm的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述緩沖層的厚度在5至200nm的范圍內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述第三層的厚度大于所述第一層的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述緩沖層具有不規(guī)則形狀。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述緩沖層在所述襯底上重復(fù)地形成和堆疊。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中：

所述III族氮化物半導(dǎo)體層包括未摻雜的GaN層，并且

所述未摻雜的GaN層與所述第三層直接接觸。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述襯底包括藍(lán)寶石襯底。

15.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括：

襯底；

緩沖層，其位于所述襯底上，并且按次序包括第一層、第二層和第三層；以及

III族氮化物半導(dǎo)體層，其位于所述緩沖層上，

其中，所述第一層、所述第二層和所述第三層中的每一個(gè)包括包含鋁(Al)、氮(N)和氧(O)的組合物，并且

其中，所述第一層和所述第三層中的每一個(gè)的氧濃度(原子/cm³)的平均值均大于所述第二層的氧濃度(原子/cm³)的平均值。