[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201810083053.2 | 申請日: | 2018-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN108461419B | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發明(設計)人: | 長田直之;山口貴大;藤田惠理;巖﨑晃久;樋口鲇美;巖畑翔太 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
本發明涉及一種基板處理裝置,具有:共用配管,向分支部引導處理液;供給配管,從分支部向藥液噴嘴引導處理液;返回配管,沿著與供給配管不同的路徑,從分支部引導處理液;噴出閥,變更從共用配管向分支部供給的處理液的流量。噴出閥使閥芯在包括噴出執行位置和噴出停止位置的多個位置靜止,其中,所述噴出執行位置指,以大于吸引流量的最大值的流量,從共用配管向分支部供給處理液的位置,所述吸引流量表示,從分支部向返回配管側流動的處理液的流量,所述噴出停止位置指,以吸引流量的最大值以下的流量,從共用配管向分支部供給處理液的位置。
技術領域
本發明涉及一種用于處理基板的基板處理裝置。作為處理對象的基板,例如包括半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板,FED(Field Emission Display,場致發射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
背景技術
在半導體裝置、液晶顯示裝置等的制造工序中,利用用于處理半導體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基板等基板的基板處理裝置。
JP2009222189A公開了將基板逐張地處理的單張式的基板處理裝置。該基板處理裝置具有:旋轉卡盤,一邊將基板保持為水平,一邊使該基板旋轉;處理液供給裝置,向保持于旋轉卡盤的基板供給處理液。處理液供給裝置包括:噴嘴,朝向基板噴出處理液;供給配管,向噴嘴供給處理液;閥,安裝于供給配管。在供給配管流動的處理液,通過打開閥來供給至噴嘴。由此,從噴嘴噴出處理液,并供給至基板。就閥而言,通過使閥芯與閥座接觸來關閉閥,通過使閥芯與閥座分離來打開閥。
通過開閉閥,來切換來自噴嘴的處理液的噴出執行以及噴出停止。但是,當開閉閥時,閥芯與閥座摩擦。因此,在閥內產生微小的顆粒。閥內的顆粒會與處理液一起從噴嘴噴出。因此,包含顆粒的處理液供給至基板,從而使基板的潔凈度下降。
發明內容
本發明的一實施方式提供一種基板處理裝置,具有:基板保持單元,保持基板;噴嘴,向保持于所述基板保持單元的基板噴出處理液;送液裝置,輸送用于向保持于所述基板保持單元的基板供給的處理液;共用配管,所述共用配管始終打開以便使處理液流動,引導所述送液裝置所輸送的處理液;分支部,與所述共用配管連接;供給配管,所述供給配管始終打開以便使處理液流動,將所述共用配管所引導的處理液從所述分支部向所述噴嘴引導;返回配管,所述返回配管始終打開以便使處理液流動,將所述共用配管所引導的處理液,從所述分支部沿著與所述供給配管不同的路徑引導;吸引裝置,從所述分支部向所述返回配管側吸引處理液;以及,噴出閥,設置于所述共用配管,變更從所述共用配管向所述分支部供給的處理液的流量。
所述噴出閥包括:閥體,包括環狀的閥座,該閥座包圍處理液流動的內部流路;閥芯,配置于所述內部流路,能夠相對于所述閥座移動;以及,閥促動器,使所述閥芯在包括噴出執行位置和噴出停止位置的多個位置靜止,所述噴出執行位置指,所述閥芯與所述閥座分離,且以大于吸引流量的最大值的流量從所述共用配管向所述分支部供給處理液的位置,所述吸引流量表示,借助所述吸引裝置的吸引力從所述分支部向所述返回配管側流動的處理液的流量,所述噴出停止位置指,所述閥芯與所述閥座分離,且以所述吸引流量的最大值以下的流量從所述共用配管向所述分支部供給處理液的位置。
根據該結構,從共用配管向分支部引導應該供給至噴嘴的處理液。從分支部向供給配管供給的處理液從噴嘴噴出,并供給至基板。由此,處理基板。另一方面,從分支部向返回配管供給的處理液,被返回配管引導于回收機構或者排液機構。
借助吸引裝置的吸引力,將從共用配管向分支部供給的處理液吸引于返回配管側。從共用配管向分支部供給的處理液的流量,通過噴出閥進行變更。噴出閥通過使閥芯在噴出執行位置和噴出停止位置之間移動,來變更從共用配管向分支部供給的處理液的流量。由此,切換向供給配管供給處理液的供給狀態。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





