[發明專利]基本規則區域中的完全對準的過孔

有效

• 申請號: 201810082869.3
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN109524348B
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: N·V·利考西;張洵淵
• 申請（專利權）人: 格芯美國公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 李崢;于靜

本發明涉及基本規則區域中的完全對準的過孔。本公開涉及半導體結構，更特別地，涉及完全對準的過孔結構及其制造方法。該結構包括：在電介質材料中形成的多個最小基本規則導電結構，所述多個最小基本規則導電結構中的每一者包括在其中的凹陷的導電材料；在所述電介質材料中形成的至少一個導電結構，所述導電結構比所述多個最小基本規則導電結構寬；位于所述電介質層的表面上方的蝕刻停止層，所述電介質層具有開口以暴露所述至少一個導電結構的導電材料和選擇的最小基本規則導電結構的所述凹陷的導電材料；以及上部導電材料，其通過所述蝕刻停止層的所述開口與所述至少一個導電結構和所述選擇的最小基本規則導電結構完全對準并直接電接觸。

技術領域

本公開涉及半導體結構，更特別地，涉及完全對準的過孔結構及其制造方法。

背景技術

在先進的技術節點中，布線結構變得越來越小，其中最小的基本規則(groundrule)達到10nm或更小的特征尺寸。在集成電路中，不同布線層上的布線結構可以通過完全對準的過孔互連。完全對準的過孔提供了直接落著在具有最小基本規則的布線結構以及較大尺寸特征上的益處。

在目前的制造工藝中，完全對準的過孔以相同的方式形成以訪問具有最小基本規則的布線結構和較大尺寸特征兩者。這導致較大尺寸特征內的導體材料的體積減小，從而增加了其整體電阻。

發明內容

在本公開的一方面，一種結構包括：在電介質材料中形成的多個最小基本規則導電結構，所述多個最小基本規則導電結構中的每一者包括在其中的凹陷的導電材料；在所述電介質材料中形成的至少一個導電結構，所述導電結構比所述多個最小基本規則導電結構寬；位于所述電介質層的表面上方的蝕刻停止層，所述電介質層具有開口以暴露所述至少一個導電結構的導電材料和選擇的最小基本規則導電結構的所述凹陷的導電材料；以及上部導電材料，其通過所述蝕刻停止層的所述開口與所述至少一個導電結構和所述選擇的最小基本規則導電結構完全對準并直接電接觸。

在本公開的一方面，一種結構包括：多個最小基本規則結構，所述最小基本規則結構中的每一者包括凹陷的導電材料并且在其間具有最小絕緣體間隔；至少一個布線結構，其具有比所述多個最小基本規則結構大的尺寸，所述至少一個布線結構包括襯里材料和與所述凹陷的導電材料不同的導電材料；以及上部互連結構，其與選擇的最小基本規則結構和所述至少一個布線結構完全對準并直接電接觸。

在本公開的一方面，一種方法包括：沉積第一導電材料以填充最小特征尺寸的溝槽，導致布線結構和具有與所述最小特征尺寸相比的較大寬度的另一布線結構；使用于所述布線結構的所述第一導電材料凹陷；形成與所述布線結構中選擇的一個和具有所述較大寬度的所述另一布線結構完全對準的過孔；以及將導電材料沉積在所述完全對準的過孔中以與所述凹陷的第一導電材料和具有所述較大寬度的所述布線結構的導電材料電接觸。

附圖說明

通過本公開的示例性實施例的非限制性實例并參考所述多個附圖，在以下詳細描述中描述本公開。

圖1示出了根據本公開的方面的除了其他特征之外的具有包括備選(alternative)金屬材料的最小寬度特征和較寬特征的結構以及相應的制造工藝。

圖2示出了根據本公開的方面的除了其他特征之外的具有備選金屬材料的最小寬度特征和具有導電材料填充的較寬特征以及相應的制造工藝。

圖3示出了根據本公開的方面的除了其他特征之外的在最小寬度特征之內凹陷的備選金屬材料以及相應的制造工藝。

圖4示出了根據本公開的方面的除了其他特征之外的與選擇的最小寬度特征和較寬特征電接觸的完全對準的過孔結構以及相應的制造工藝。

圖5-8示出了根據本公開的附加方面的除了其他特征之外的具有最小寬度特征和較寬特征的結構以及相應的制造工藝。

具體實施方式