[發(fā)明專利]成像裝置和電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810082859.X | 申請日: | 2016-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN108447878B | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 加藤菜菜子;若野壽史;田中裕介;大竹悠介 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/3745 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 衛(wèi)李賢;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 成像 裝置 電子設(shè)備 | ||
1.一種成像裝置,其包括:
第一單元,包括第一傳輸晶體管、第二傳輸晶體管,以及位于所述第一傳輸晶體管和所述第二傳輸晶體管的光入射側(cè)的第一濾色器;
第二單元,包括第三傳輸晶體管、第四傳輸晶體管,以及位于所述第三傳輸晶體管和所述第四傳輸晶體管的光入射側(cè)的第二濾色器;
第三單元,包括第五傳輸晶體管、第六傳輸晶體管,以及位于所述第五傳輸晶體管和所述第六傳輸晶體管的光入射側(cè)的第三濾色器;
第四單元,包括第七傳輸晶體管、第八傳輸晶體管,以及位于所述第七傳輸晶體管和所述第八傳輸晶體管的光入射側(cè)的第四濾色器,
其中,所述第一傳輸晶體管、所述第二傳輸晶體管、所述第三傳輸晶體管、所述第四傳輸晶體管、所述第五傳輸晶體管、所述第六傳輸晶體管、所述第七傳輸晶體管和所述第八傳輸晶體管沿著相同的像素行沿水平方向按順序布置;
第一傳輸控制信號線,沿所述水平方向延伸且電連接到所述第一傳輸晶體管的柵極和所述第五傳輸晶體管的柵極;
第二傳輸控制信號線,沿所述水平方向延伸且電連接到所述第二傳輸晶體管的柵極和所述第六傳輸晶體管的柵極;
第三傳輸控制信號線,沿所述水平方向延伸且電連接到所述第三傳輸晶體管的柵極;
第四傳輸控制信號線,沿所述水平方向延伸且電連接到所述第四傳輸晶體管的柵極;
第五傳輸控制信號線,沿所述水平方向延伸且電連接到所述第七傳輸晶體管的柵極;以及
第六傳輸控制信號線,沿所述水平方向延伸且電連接到所述第八傳輸晶體管的柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置,其中,
所述第一濾色器用于提取在第一波長范圍內(nèi)的光,
所述第二濾色器用于提取在第二波長范圍內(nèi)的光,
所述第三濾色器用于提取在第三波長范圍內(nèi)的光,并且
所述第四濾色器用于提取在第四波長范圍內(nèi)的光。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像裝置,其中,
所述第一波長范圍和所述第三波長范圍相同,
所述第二波長范圍和所述第四波長范圍相同,并且
所述第一波長范圍和所述第二波長范圍是不同的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置,其中,
所述第一單元還包括位于所述第一濾色器的光入射側(cè)的第一片上透鏡,
所述第二單元還包括位于所述第二濾色器的光入射側(cè)的第二片上透鏡,
所述第三單元還包括位于所述第三濾色器的光入射側(cè)的第三片上透鏡,并且
所述第四單元還包括位于所述第四濾色器的光入射側(cè)的第四片上透鏡。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置,其中,
所述第一單元還包括電連接到所述第一傳輸晶體管和所述第二傳輸晶體管的第一浮動擴散部,
所述第二單元還包括電連接到所述第三傳輸晶體管和所述第四傳輸晶體管的第二浮動擴散部,
所述第三單元還包括電連接到所述第五傳輸晶體管和所述第六傳輸晶體管的第三浮動擴散部,并且
所述第四單元還包括電連接到所述第七傳輸晶體管和所述第八傳輸晶體管的第四浮動擴散部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的成像裝置,其中,
所述第一浮動擴散部經(jīng)由第一布線電連接到所述第二浮動擴散部,
所述第三浮動擴散部經(jīng)由第二布線電連接到所述第四浮動擴散部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像裝置,其還包括:
第一放大晶體管,經(jīng)由所述第一布線電連接到所述第一浮動擴散部和所述第二浮動擴散部,以及
第二放大晶體管,經(jīng)由所述第二布線電連接到所述第三浮動擴散部和所述第四浮動擴散部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像裝置,其還包括:
第一垂直信號線,連接到所述第一放大晶體管,其中所述第一垂直信號線沿垂直方向延伸;以及
第二垂直信號線,連接到所述第二放大晶體管,其中所述第二垂直信號線沿所述垂直方向延伸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





