[發明專利]一種用于去除半導體晶片蝕刻殘留物的清洗組合物

在審

• 申請號: 201810082648.6
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN110095953A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 曹立志;王新龍;支肖瓊;楊玉川;周友
• 申請（專利權）人: 張家港奧擎電子化學有限責任公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 肖威;劉金輝

1.一種清洗組合物，其包含：含四-C₁-C₆烷基胍和水的溶劑、氟化物、羥胺和腐蝕抑制劑，其中所述腐蝕抑制劑選自苯甲酸類及其鹽。

2.如權利要求1所述的清洗組合物，其中所述四-C₁-C₆烷基胍優選為四-C₁-C₄烷基胍，例如四甲基胍、四乙基胍、四正丙基胍、四異丙基胍、四正丁基胍、四異丁基胍或四叔丁基胍，更優選為四甲基胍或四乙基胍，最優選為1,1,3,3-四甲基胍。

3.如權利要求1或2所述的清洗組合物，其中所述氟化物選自氟化氫以及氟化氫與堿形成的鹽中的一種或多種，例如氟化氫銨、氟化銨、四甲基氟化銨、四乙基氟化銨、四丙基氟化銨、四丁基氟化銨、芐基三甲基氟化銨或氟化膽堿；優選為氟化氫銨、氟化銨、四甲基銨、四乙基氟化銨或氟化膽堿；更優選為氟化氫銨、氟化銨、四甲基氟化銨或氟化膽堿；最優選為氟化銨或四甲基氟化銨。

4.如權利要求1-3中任一項所述的清洗組合物，其中所述羥胺選自羥基叔胺、羥基伯胺和羥基仲胺中的一種或多種，例如單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、異丙醇胺、正丁醇胺、異丁醇胺、二甘醇胺，N,N-二甲基乙醇胺、N-甲基-N-乙基乙醇胺或N-甲基二乙醇胺，優選為單乙醇胺、二乙醇胺或三乙醇胺。

5.如權利要求1-4中任一項所述的清洗組合物，其中所述四-C₁-C₆烷基胍的含量為5-80重量％，優選為5-60重量％，最優選為10-60重量％，基于所述清洗組合物的總重量。

6.如權利要求1-5中任一項所述的清洗組合物，其中所述氟化物的含量為0.1-15重量％，優選為0.5-15重量％，更優選為1-15重量％，最優選為1-10重量％，基于所述清洗組合物的總重量。

7.如權利要求1-6中任一項所述的清洗組合物，其中所述羥胺的含量為5-80重量％，優選為7-75重量％，更優選為10-65重量％，最優選為10-60重量％，基于所述清洗組合物的總重量。

8.如權利要求1-7中任一項所述的清洗組合物，其中所述腐蝕抑制劑選自苯甲酸、對苯二甲酸、均苯三酸或其鹽，以及它們的混合物。

9.如權利要求1-8中任一項所述的清洗組合物，其中腐蝕抑制劑的含量為小于等于10重量％，優選為0.1-10重量％，更優選為1-10重量％，最優選為2-6重量％，基于所述清洗組合物的總重量。

10.一種制備如權利要求1-9中任一項所述的清洗組合物的方法，包括使各組分接觸并溶解。

11.如權利要求1-9中任一項所述的清洗組合物用于去除半導體晶片蝕刻殘留物的用途。

12.一種清洗晶片的方法，包括使如權利要求1-9中任一項所述的清洗組合物與蝕刻后的半導體晶片接觸。