[發明專利]一種用于選擇性移除氮化鈦硬掩模和/或蝕刻殘留物的組合物

在審

• 申請號: 201810082642.9
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN110095952A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 曹立志;王新龍;支肖瓊;楊玉川;周友
• 申請（專利權）人: 張家港奧擎電子化學有限責任公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 肖威;劉金輝

1.一種移除組合物，其包含氧化劑、多胺化合物、銨鹽和腐蝕抑制劑。

2.如權利要求1所述的移除組合物，其中所述氧化劑選自如下組：過氧化氫、過硫酸銨、過氧苯甲酸、高碘酸、高氯酸、過乙酸及其組合；優選地，所述氧化劑為過氧化氫。

3.如權利要求1或2所述的移除組合物，其中所述多胺化合物選自如下組：乙二胺、1,3-二氨基丙烷、六亞甲基二胺、腐胺、尸胺、亞精胺、精胺、二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、四甲基乙二胺、五甲基二亞乙基三胺及其組合；優選地，所述多胺化合物為五甲基二亞乙基三胺或二亞乙基三胺。

4.如權利要求1-3中任一項所述的移除組合物，所述銨鹽選自檸檬酸銨、乙酸銨、丙二酸銨、乙二酸銨、乳酸銨、亞氨基二乙酸銨、氯化銨、溴化銨、硫酸銨、磷酸銨及其組合；優選地，所述銨鹽為檸檬酸銨、乙酸銨、乙二酸銨或磷酸銨。

5.如權利要求1-4中任一項所述的移除組合物，所述腐蝕抑制劑選自：苯并三唑(BTA)、1,2,4-三唑(TAZ)、甲苯基三唑、5-甲基苯并三唑、5-苯基苯并三唑、5-硝基苯并三唑、苯并三唑羧酸、1-氨基-1,2,4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-氨基戊基)-苯并三唑、1-氨基-1,2,3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、苯并咪唑、吡唑及其組合；優選地，所述腐蝕抑制劑為苯并三唑、1,2,4-三唑或5-甲基苯并三唑。

6.如權利要求1-5中任一項所述的移除組合物，其中所述組合物進一步包含溶劑。

7.如權利要求6所述的溶劑，其中所述溶劑為水，其可任選包含有機溶劑。

8.如權利要求1-7中任一項所述的移除組合物，其中所述氧化劑含量為0.1-50重量％，優選為0.5-40重量％，更優選為0.5-30重量％，最優選為0.5-15重量％，例如為1-10％；所述多胺化合物的含量為0.0001-50重量％，優選為0.001-40重量％，更優選為0.05-30重量％，更優選為0.1-30重量％，更優選為1-30重量％，最優選為5-20重量％；所述銨鹽含量為0.0001-50重量％，優選為0.001-30重量％，更優選為0.05-20重量％，更優選為0.1-15重量％，更優選為1-15重量％，最優選為2-10重量％；所述腐蝕抑制劑含量為0.0001-10重量％，優選為0.001-10重量％，更優選為0.05-5重量％，更優選為0.01-5重量％，最優選為0.1-2重量％，各自基于所述組合物的總重量。

9.如權利要求1-8中任一項所述的移除組合物，其中所述明組合物的pH為8以上。

10.如權利要求1-9中任一項所述的移除組合物用于選擇性移除氮化鈦硬掩模和/或蝕刻殘留物的用途。

11.一種選擇性移除晶片上的氮化鈦硬掩模和/或蝕刻殘留物的方法，包括：

(1)提供含有氮化鈦硬掩模和/或蝕刻殘留物的晶片，

(2)使所述晶片與如權利要求1-9中任一項所述的移除組合物接觸。