[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于石墨烯/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電荷耦合器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810082542.6
• 申請(qǐng)日: 2018-01-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108054180A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐楊;郭宏偉;李煒;俞濱
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 杭州紫元科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/148
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/148
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種基于石墨烯/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電荷耦合器件，包括組成陣列的若干像素，其特征在于，所述像素自下而上依次包括柵極、半導(dǎo)體襯底、絕緣層、源極、漏極與石墨烯薄膜；所述源極和所述漏極水平間隔布置于所述絕緣層的上表面；所述石墨烯薄膜覆蓋在所述源極、漏極及其之間的絕緣層的上表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電荷耦合器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為輕摻雜半導(dǎo)體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于石墨烯/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電荷耦合器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為n型輕摻雜硅，絕緣層為二氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電荷耦合器件，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底和絕緣層之間設(shè)置有埋溝層，所述埋溝層為n型摻雜，所述半導(dǎo)體襯底為p型摻雜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電荷耦合器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為窄禁帶寬度半導(dǎo)體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電荷耦合器件，其特征在于，所述石墨烯薄膜分為兩段，一段為n型摻雜石墨烯，一段為p型摻雜石墨烯，分別覆蓋在所述源極和漏極上，連接于絕緣層上，形成PN結(jié)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電荷耦合器件，其特征在于，所述絕緣層為紫外光吸收系數(shù)低的材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電荷耦合器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為寬禁帶寬度半導(dǎo)體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電荷耦合器件，其特征在于，所述絕緣層為高介電常數(shù)介質(zhì)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯/絕緣層/半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電荷耦合器件，其特征在于，光線由下方射入所述電荷耦合器件。