[發明專利]一種納米硫化鉬材料濕法脫除氣態單質汞的方法有效
| 申請號： | 201810081939.3 | 申請日： | 2018-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN108187451B | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發明（設計）人： | 劉恢;王東麗;柴立元;劉操;向開松;楊姝;張聰;謝小峰 | 申請（專利權）人： | 中南大學 |
| 主分類號： | B01D53/14 | 分類號： | B01D53/14;C22B7/02;C22B43/00 |
| 代理公司： | 長沙市融智專利事務所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 張偉;魏娟 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 硫化 材料 濕法 脫除 氣態 單質 方法 | ||
1.一種納米硫化鉬材料濕法脫除氣態單質汞的方法，其特征在于：將含汞煙氣通入溫度為5～95℃及pH在1～11范圍內的含納米二硫化鉬的吸收液中脫除含汞煙氣中的氣態單質汞；所述吸收液包含Hg2+、Pb2+、Cu2+、Fe3+、Zn2+、Cd2+、As5+中至少一種陽離子，和/或包含SO32-、SO42-、NO3-、Cl-、F-中至少一種陰離子。
2.根據權利要求1所述的一種納米硫化鉬材料濕法脫除氣態單質汞的方法，其特征在于：所述吸收液中二硫化鉬的質量百分比含量為0.02％～0.33％。
3.根據權利要求2所述的一種納米硫化鉬材料濕法脫除氣態單質汞的方法，其特征在于：所述納米二硫化鉬為納米片層二硫化鉬。
4.根據權利要求1所述的一種納米硫化鉬材料濕法脫除氣態單質汞的方法，其特征在于：所述含汞煙氣包含單質汞0.1～30mg/Nm3；包含的主要氣體及各氣體的體積百分比含量：
O2:0.1％～15％；
N2:30％～80％；
SO2:0.01％～5％；
CO2:0％～10％。
5.根據權利要求1～4任一項所述的一種納米硫化鉬材料濕法脫除氣態單質汞的方法，其特征在于：含納米二硫化鉬的吸收液與含汞煙氣的體積比為1:200～2000。
6.根據權利要求1～4任一項所述的一種納米硫化鉬材料濕法脫除氣態單質汞的方法，其特征在于：吸收液的pH范圍為1.5～4.5。
7.根據權利要求1～4任一項所述的一種納米硫化鉬材料濕法脫除氣態單質汞的方法，其特征在于：吸收液的溫度為20～45℃。
8.根據權利要求1所述的一種納米硫化鉬材料濕法脫除氣態單質汞的方法，其特征在于：吸附氣態單質汞至飽和的納米二硫化鉬經過自然沉降分離后，采用濃鹽酸洗脫氣態單質汞使納米二硫化鉬再生，并循環使用。
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