[發明專利]借助熱力推動流體的裝置在審
| 申請號： | 201810080402.5 | 申請日： | 2018-01-27 |
| 公開（公告）號： | CN108185530A | 公開（公告）日： | 2018-06-22 |
| 發明（設計）人： | 胡廷東 | 申請（專利權）人： | 深圳市新宜康電子技術有限公司 |
| 主分類號： | A24F47/00 | 分類號： | A24F47/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田區沙*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 孔隙率 控制室 逐漸增大 上表面 流體 電阻 煙油 熱力 壓強 晶粒 高速高壓 揮發效率 受熱 下表面 預熱體 供絲 霧化 加熱 遞減 遞增 | ||
1.一種借助熱力推動流體的裝置，其特征在于，包括：
一主體，其內晶粒之間具有空隙，定義所述孔隙率為所述空隙的體積與所述空隙所在主體的比值，所述主體內孔隙率自上而下遞增；
一絲印電阻，設置于所述主體的上表面，
一控制室，設置于所述主體的下表面，當控制室中的預熱體對液體進行加熱時，所述控制室中的液體受熱向上流動進入所述主體中的空隙，并通過空隙向上流動。
2.如權利要求1所述的一種借助熱力推動流體的裝置，其特征在于：所述主體內設置至少一第一陶瓷層、一第二陶瓷層，所述第一陶瓷層位于所述第二陶瓷層上方，所述第一陶瓷層的上部設置所述絲印電阻，所述控制室位于所述第二陶瓷層的下表面，所述第一陶瓷層中晶粒之間的空隙為Q1，所述第二陶瓷層中晶粒之間的空隙為Q2，Q1＜Q2。
3.如權利要求2所述的一種借助熱力推動流體的裝置，其特征在于：所述第一陶瓷層的孔隙率為L1，所述第二陶瓷層的孔隙率為L2，L1＜L2。
4.如權利要求2所述的一種借助熱力推動流體的裝置，其特征在于：所述第一陶瓷層的底部設置一第一加熱體，所述預熱體位于第二陶瓷層的底部。
5.如權利要求2所述的一種借助熱力推動流體的裝置，其特征在于：所述第一陶瓷層的底部設置一第一加熱體，所述預熱體位于控制室的底壁。
6.如權利要求2所述的一種借助熱力推動流體的裝置，其特征在于：所述第二陶瓷層的底部設置第二加熱體，且控制室的底壁設置預熱體。
7.如權利要求1所述的一種借助熱力推動流體的裝置，其特征在于：所述控制室設置一進液口，所述預熱體工作時，所述進液口關閉，所述控制室中的預熱體不工作時，所述進液口開啟。
8.如權利要求1所述的一種借助熱力推動流體的裝置，其特征在于：所述主體內設置至少一第一陶瓷層、一第二陶瓷層、一第三陶瓷層，所述第一陶瓷層位于所述第二陶瓷層上方，所述第二陶瓷層位于所述第三陶瓷層上方，所述第一陶瓷層的上表面設置所述絲印電阻，所述第一陶瓷層中晶粒之間的空隙為Q1，所述第二陶瓷層中晶粒之間的空隙為Q2，所述第三陶瓷層中晶粒之間的空隙為Q3，Q1＜Q2＜Q3，所述第一陶瓷層的孔隙率為L1，所述第二陶瓷層的孔隙率為L2，所述第三陶瓷層的孔隙率為L3，L1＜L2＜L3，所述第一陶瓷層的底部設置一第一加熱體，所述第二陶瓷層的底部設置一第二加熱體，所述第三陶瓷層的底部設置一第三加熱體，所述控制室位于所述第三陶瓷層的下表面，所述預熱體位于控制室中的底部。
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