[發明專利]一種發光二極管的制作方法

有效

• 申請號: 201810079397.6
• 申請日: 2018-01-26
• 公開（公告）號: CN108281517B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 陳功;許圣賢;林素慧;彭康偉;洪靈愿;張家宏
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管的制作方法，包括工藝步驟：

（1）提供一磊晶片，包括襯底及襯底上的發光外延層，發光外延層從上至下包括：第一半導體層、活性層以及第二半導體層；

（2）在部分發光外延層表面形成掩膜層并進行圖案化，形成圖案化掩膜層；其中所述部分發光外延層表面為第一半導體層表面的部分區域，或者所述部分發光外延層表面為從部分第一半導體層往下蝕刻形成的部分裸露的第二半導體層臺面；

（3）進行蝕刻工藝，使得所述部分發光外延層表面形成圖案化凹凸結構；

（4）在圖案化凹凸結構的凹坑中形成金屬顆粒；

（5）以金屬顆粒作為晶種，進行電鍍工藝，沿著金屬顆粒沉積生長形成金屬導光柱。

2.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）掩膜層圖案化采用包括：納米壓印或者電子束光刻或者陽極氧化鋁工藝或者涂布納米小球或者前述任意工藝組合。

3.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：采用電化學蝕刻工藝使得發光外延層形成圖案化凹凸結構，取代所述步驟（2）和步驟（3）。

4.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（3）的圖案化凹凸結構的高度介于50?~20000?。

5.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（3）之后，所述圖案化掩膜層去除，或者不去除。

6.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）的金屬顆粒的形成是通過在圖案化凹凸結構上形成一金屬薄層，并通過剝離方式，使得位于凹凸結構凸部上的金屬薄層被隔斷，只留下位于凹坑內的金屬薄層，形成金屬顆粒。

7.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）的金屬顆粒的形成是通過在圖案化凹凸結構上形成一金屬薄層，并進行激光照射處理，使得金屬薄層成為熔融狀，流入到凹坑中，形成金屬顆粒。

8.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）的金屬顆粒的形成是通過在圖案化凹凸結構上形成一金屬薄層，并進行高溫退火處理，使得金屬薄層在高溫條件下團聚在凹坑中，形成金屬顆粒。

9.根據權利要求6或7或8所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述金屬薄層的厚度介于10?~20000?。

10.根據權利要求6或7或8所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述金屬薄層的材質選用Ag或者Al或者Ni或前述組合之一。

11.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述金屬顆粒為納米狀，所述金屬導光柱為納米狀。