[發明專利]一種發光二極管的制作方法有效
| 申請號： | 201810079389.1 | 申請日： | 2018-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN108346721B | 公開（公告）日： | 2020-09-22 |
| 發明（設計）人： | 陳功;許圣賢;林素慧;彭康偉;洪靈愿;張家宏 | 申請（專利權）人： | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/10 | 分類號： | H01L33/10;H01L33/46;H01L33/22;H01L33/24;H01L33/00 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 制作方法 | ||
1.一種發光二極管的制作方法，包括工藝步驟：
（1）提供一襯底，并生長第一發光外延層；
（2）在第一發光外延層上形成金屬掩膜層，然后對金屬掩膜層圖案化處理以形成圖案化掩膜層；
（3）進行蝕刻工藝，使得第一發光外延層形成圖案化凹凸結構；
（4）在圖案化凹凸結構的凹坑中形成金屬顆粒；
（5）繼續生長第二發光外延層；
其特征在于：所述步驟（4）的金屬顆粒的形成是通過對圖案化凹凸結構上的金屬掩膜層進行激光照射處理，使得金屬掩膜層成為熔融狀，流入到凹坑中，形成金屬顆粒。
2.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（1）的第一發光外延層可以是第一半導體層或是活性層或是第二半導體層或是前述任意組合之一。
3.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（5）的第二發光外延層可以是第一半導體層或是活性層或是第二半導體層或是前述任意組合之一。
4.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）金屬掩膜層圖案化采用包括：納米壓印或者電子束光刻或者陽極氧化鋁或者涂布納米小球或者前述任意工藝組合。
5.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（3）的圖案化凹凸結構的高度介于50?~20000?。
6.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述金屬掩膜層的厚度介于40?~20000?。
7.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述金屬掩膜層的材質選用Ag或者Al或者Ni或前述組合之一。
8.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述金屬顆粒為納米狀。
9.根據權利要求1所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）之后，形成一介質保護層，用于保護金屬顆粒。
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