[發明專利]OLED基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201810079079.X | 申請日: | 2018-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN108231859A | 公開(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發明(設計)人: | 周婷婷;張斌;羊振中 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 容納 像素限定層 制備 顯示裝置 發光層 封裝層 陰極層 基底方向 依次設置 基底 背離 | ||
本發明提供一種OLED基板及其制備方法、顯示裝置,屬于顯示技術領域。本發明的OLED基板的制備方法,包括如下步驟:在基底上形成像素限定層,并在所述像素限定層中形成一種顏色的OLED器件的容納部;在上述步驟所形成的容納部中,形成沿背離所述基底方向依次設置的發光層、陰極層、封裝層;按照上述步驟,在所述像素限定層中逐一形成其余顏色的OLED器件的容納部;以及,在每形成一種顏色的OLED器件的容納部之后,在所形成的容納部中,依次形成該種顏色的OLED器件的發光層、陰極層、封裝層。
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種OLED基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
在現有技術中,OLED(有機發光二極管;Organic Light-Emitting Diode)基板的制備流程如下:首先,對OLED基板的基底進行曝光顯影、刻蝕處理,以同時形成紅色子像素區、綠色子像素區、藍色子像素區;然后,分別對三個子像素區進行蒸鍍處理,以使紅色子像素區淀積有紅色發光層材料,綠色子像素區域淀積有綠色發光層材料,藍色子像素區淀積有藍色發光層材料,以形成OLED基板。
但是,發明人發現上述的OLED基板的制備方法存在如下問題:由于紅色子像素區、綠色子像素區、藍色子像素區在OLED基板上是同時形成的,故在對三個子像素區分別進行蒸鍍處理時,若三個子像素區之間的距離較小,則很容易導致一種顏色的發光層材料淀積到另外一種顏色的子像素區,從而引起混色;若三個子像素區之間的距離較大,則會降低通過上述制備方法制備所得的OLED基板的分辨率。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提供一種能夠防止各個OLED器件的發光層發生混色的OLED基板的制備方法。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種OLED基板的制備方法,包括如下步驟:在基底上形成像素限定層,并在所述像素限定層中形成一種顏色的OLED器件的容納部;
在上述步驟所形成的容納部中,形成沿背離所述基底方向依次設置的發光層、陰極層、封裝層;
按照上述步驟,在所述像素限定層中逐一形成其余顏色的OLED器件的容納部;以及,在每形成一種顏色的OLED器件的容納部之后,在所形成的容納部中,依次形成該種顏色的OLED器件的發光層、陰極層、封裝層。
優選的是,還包括:
在各種顏色的OLED器件的封裝層中形成過孔;
在完成上述步驟的所述封裝層上形成連接電極;其中,各個所述陰極層通過所述連接電極連接在一起。
優選的是,所述在所形成的容納部中,形成沿背離所述基底方向依次設置的發光層、陰極層、封裝層的步驟具體包括:
在所形成的有所述容納部的像素限定層上,依次形成發光材料層、陰極材料層、封裝材料層;
通過化學機械研磨去除除與所述容納部位置對應以外的所述發光材料層、陰極材料層、封裝材料層,以形成位于所述容納部中的發光層、陰極層、封裝層。
優選的是,所述發光材料層、所述陰極材料層通過蒸鍍工藝依次形成在有所述容納部的像素限定層上;
所述封裝材料層通過等離子體增強化學氣相沉積的方式形成在所述陰極材料層上。
優選的是,所述OLED基板的制備方法還包括:
在所述容納部中,形成位于所述陰極層和所述封裝層之間的保護層。
優選的是,所述保護層的材料包括:氧化銦錫或氧化銦鋅。
優選的是,所述在基底上形成像素限定層的步驟前,還包括:
在所述基底上,通過構圖工藝形成各個所述OLED器件的陽極層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





