[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810077767.2
• 申請(qǐng)日: 2018-01-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109524043B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 四方剛;志村安広
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/08
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/08;G11C16/10
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能夠提高數(shù)據(jù)寫(xiě)入的可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。一實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：第1存儲(chǔ)單元晶體管、第2存儲(chǔ)單元晶體管、及第3存儲(chǔ)單元晶體管，串聯(lián)連接；字線，與所述第3存儲(chǔ)單元晶體管的柵極耦合；以及控制部。所述控制部在向所述第1存儲(chǔ)單元晶體管寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，設(shè)定第1電壓作為對(duì)所述字線施加的電壓的上限值，在向所述第2存儲(chǔ)單元晶體管寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，設(shè)定與所述第1電壓不同的第2電壓作為對(duì)所述字線施加的電壓的上限值。

[相關(guān)申請(qǐng)]

本申請(qǐng)享有以日本專(zhuān)利申請(qǐng)2017-179336號(hào)(申請(qǐng)日：2017年9月19日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)

已知有作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的NAND(Not And，與非)型閃存。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式提供一種能夠提高數(shù)據(jù)寫(xiě)入的可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：第1存儲(chǔ)單元晶體管、第2存儲(chǔ)單元晶體管、及第3存儲(chǔ)單元晶體管，串聯(lián)連接；字線，與所述第3存儲(chǔ)單元晶體管的柵極耦合；以及控制部。所述控制部在向所述第1存儲(chǔ)單元晶體管寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，設(shè)定第1電壓作為對(duì)所述字線施加的電壓的上限值，在向所述第2存儲(chǔ)單元晶體管寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，設(shè)定與所述第1電壓不同的第2電壓作為對(duì)所述字線施加的電壓的上限值。

附圖說(shuō)明

圖1是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的構(gòu)成的框圖。

圖2是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的構(gòu)成的框圖。

圖3是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)單元陣列的構(gòu)成的電路圖。

圖4是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)單元陣列的構(gòu)成的剖視圖。

圖5是用以說(shuō)明在第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中選擇下層區(qū)域的字線的情況的寫(xiě)入動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖6是用以說(shuō)明在第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中選擇上層區(qū)域的字線的情況的寫(xiě)入動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖7是用以說(shuō)明程序干擾的圖解。

圖8是用以說(shuō)明在變化例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中選擇下層區(qū)域的字線的情況的寫(xiě)入動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖9是用以說(shuō)明在變化例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中選擇上層區(qū)域的字線的情況的寫(xiě)入動(dòng)作的時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，在以下的說(shuō)明中，對(duì)具有相同功能及構(gòu)成的構(gòu)成要素標(biāo)注共通的參照符號(hào)。

1.第1實(shí)施方式

對(duì)第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行說(shuō)明。第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置例如包括NAND型閃存。

1.1關(guān)于構(gòu)成

首先，對(duì)第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。

1.1.1關(guān)于存儲(chǔ)器系統(tǒng)的整體構(gòu)成

利用圖1對(duì)第1實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的構(gòu)成例進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示第1實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的構(gòu)成的一例的框圖。存儲(chǔ)器系統(tǒng)1例如與外部的未圖示的主機(jī)設(shè)備進(jìn)行通信。存儲(chǔ)器系統(tǒng)1保存來(lái)自主機(jī)設(shè)備(未圖示)的數(shù)據(jù)，另外，將數(shù)據(jù)讀取到主機(jī)設(shè)備。