[發明專利]一種中空碳化硅陶瓷纖維及其制備方法有效
| 申請號： | 201810077569.6 | 申請日： | 2018-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN108456949B | 公開（公告）日： | 2020-11-10 |
| 發明（設計）人： | 甄霞麗;黃慶;何流;裴學良;王艷菲;鐘希強 | 申請（專利權）人： | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | D01F9/10 | 分類號： | D01F9/10;D01F1/08 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 劉誠午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 中空 碳化硅 陶瓷纖維 及其 制備 方法 | ||
1.一種中空碳化硅陶瓷纖維的制備方法，其特征在于，包括：
(1)將聚碳硅烷纖維在25～50℃下與濃度為0.1～2mol/L的過氧化氫水溶液、氯酸鹽水溶液、高氯酸鹽水溶液、高錳酸鹽水溶液或重鉻酸鹽水溶液反應0.1～2h，得到表層交聯的聚碳硅烷纖維；
(2)在惰性氣氛下逐步升溫至1000～1800℃燒結，得所述的中空碳化硅陶瓷纖維。
2.一種中空碳化硅陶瓷纖維的制備方法，其特征在于，包括：
(1)將聚碳硅烷纖維在25～50℃下與過氧化氫濃度為0.1～2mol/L、臭氧濃度為1～5mg/L的水溶液反應0.1～0.5h，得到表層交聯的聚碳硅烷纖維；
(2)在惰性氣氛下逐步升溫至1000～1800℃燒結，得所述的中空碳化硅陶瓷纖維。
3.根據權利要求1或2所述的中空碳化硅陶瓷纖維的制備方法，其特征在于，所述表層交聯的聚碳硅烷纖維表層的交聯深度為1～10μm。
4.根據權利要求1或2所述的中空碳化硅陶瓷纖維的制備方法，其特征在于，所述聚碳硅烷纖維為含鋁元素的聚碳硅烷纖維。
5.根據權利要求1或2所述的中空碳化硅陶瓷纖維的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，還包括：氧化交聯反應結束后，在惰性氣氛中于100～300℃處理1～2h，得到表層交聯的聚碳硅烷纖維。
6.根據權利要求1或2所述的中空碳化硅陶瓷纖維的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，表層交聯的聚碳硅烷纖維在惰性氣氛和0.02～0.06MPa真空度條件下在200～450℃范圍內保溫0.5～2h，之后常壓下逐步升溫至1000～1800℃燒結，制得所述中空碳化硅陶瓷纖維。
7.一種中空碳化硅陶瓷纖維，其特征在于，由權利要求1～6任一項所述方法制備得到。
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