[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 201810076731.2
• 申請日: 2018-01-26
• 公開（公告）號: CN108288581A
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 龍海鳳;李天慧;藤井光一
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 薛異榮;吳敏

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一區和第二區，第一區的頂部表面高于第二區的頂部表面；

僅在基底的第一區的頂部表面形成第一光阻膜；

在第一光阻膜的表面和基底的第二區的頂部表面形成第二光阻膜，第二區上的第二光阻膜的厚度大于第一區上的第二光阻膜的厚度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一光阻膜的方法包括：在基底的第一區和第二區表面形成第一光阻材料層；

對第一光阻材料層進行曝光和顯影以去除第二區表面的第一光阻材料層，形成所述第一光阻膜。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述基底僅包括第一區和第二區；所述第一區上第一光阻膜和第二光阻膜的總厚度等于所述第二區上第二光阻膜的厚度。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一光阻膜的材料為正性光刻膠或負性光刻膠層；所述第二光阻膜的材料為正性光刻膠或負性光刻膠層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述基底還包括第三區；所述第二區的頂部表面高于所述第三區的頂部表面；所述第二光阻膜暴露出所述第三區的頂部表面；所述半導體器件的形成方法還包括：在第二光阻膜的表面和基底第三區的頂部表面形成第三光阻膜，第三區上的第三光阻膜的厚度大于第二區上的第三光阻膜的厚度，且第二區上的第三光阻膜的厚度大于第一區上第三光阻膜的厚度。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述基底僅包括第一區、第二區和第三區；所述第一區上第一光阻膜、第二光阻膜和第三光阻膜的總厚度，等于所述第二區上第二光阻膜和第三光阻膜的總厚度，所述第二區上第二光阻膜和第三光阻膜的總厚度等于所述第三區上第三光阻膜的厚度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，還包括：對第一光阻膜和第二光阻膜進行曝光和顯影，使第一區上的第一光阻膜和第二光阻膜形成圖形化的第一光阻層，使第二區上的第二光阻膜形成圖形化的第二光阻層。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，以所述第一光阻層為掩膜刻蝕基底的第一區，同時以第二光阻層為掩膜刻蝕基底的第二區；

或者，以所述第一光阻層為掩膜對基底的第一區進行離子注入，同時以第二光阻層為掩膜對基底的第二區進行離子注入。

9.一種半導體器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一區和第二區，第一區的頂部表面高于第二區的頂部表面；

僅位于基底的第一區的頂部表面的第一光阻膜；

位于第一光阻膜的表面和基底的第二區的頂部表面的第二光阻膜，第二區上的第二光阻膜的厚度大于第一區上的第二光阻膜的厚度。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述基底僅包括第一區和第二區；所述第一區上第一光阻膜和第二光阻膜的總厚度等于所述第二區上第二光阻膜的厚度。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述基底還包括第三區，所述第二區的頂部表面高于所述第三區的頂部表面；所述第三區的頂部表面未被第二光阻膜覆蓋；所述半導體器件還包括：位于第二光阻膜的表面和基底第三區的頂部表面的第三光阻膜，第三區上的第三光阻膜的厚度大于第二區上的第三光阻膜的厚度，且第二區上的第三光阻膜的厚度大于第一區上第三光阻膜的厚度。

12.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述基底僅包括第一區、第二區和第三區；所述第一區上第一光阻膜、第二光阻膜和第三光阻膜的總厚度，等于所述第二區上第二光阻膜和第三光阻膜的總厚度，所述第二區上第二光阻膜和第三光阻膜的總厚度等于所述第三區上第三光阻膜的厚度。