[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810076731.2
• 申請(qǐng)日: 2018-01-26
• 公開（公告）號(hào): CN108288581A
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龍海鳳;李天慧;藤井光一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 薛異榮;吳敏

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一區(qū)和第二區(qū)，第一區(qū)的頂部表面高于第二區(qū)的頂部表面；

僅在基底的第一區(qū)的頂部表面形成第一光阻膜；

在第一光阻膜的表面和基底的第二區(qū)的頂部表面形成第二光阻膜，第二區(qū)上的第二光阻膜的厚度大于第一區(qū)上的第二光阻膜的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一光阻膜的方法包括：在基底的第一區(qū)和第二區(qū)表面形成第一光阻材料層；

對(duì)第一光阻材料層進(jìn)行曝光和顯影以去除第二區(qū)表面的第一光阻材料層，形成所述第一光阻膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述基底僅包括第一區(qū)和第二區(qū)；所述第一區(qū)上第一光阻膜和第二光阻膜的總厚度等于所述第二區(qū)上第二光阻膜的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一光阻膜的材料為正性光刻膠或負(fù)性光刻膠層；所述第二光阻膜的材料為正性光刻膠或負(fù)性光刻膠層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述基底還包括第三區(qū)；所述第二區(qū)的頂部表面高于所述第三區(qū)的頂部表面；所述第二光阻膜暴露出所述第三區(qū)的頂部表面；所述半導(dǎo)體器件的形成方法還包括：在第二光阻膜的表面和基底第三區(qū)的頂部表面形成第三光阻膜，第三區(qū)上的第三光阻膜的厚度大于第二區(qū)上的第三光阻膜的厚度，且第二區(qū)上的第三光阻膜的厚度大于第一區(qū)上第三光阻膜的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述基底僅包括第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū)；所述第一區(qū)上第一光阻膜、第二光阻膜和第三光阻膜的總厚度，等于所述第二區(qū)上第二光阻膜和第三光阻膜的總厚度，所述第二區(qū)上第二光阻膜和第三光阻膜的總厚度等于所述第三區(qū)上第三光阻膜的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，還包括：對(duì)第一光阻膜和第二光阻膜進(jìn)行曝光和顯影，使第一區(qū)上的第一光阻膜和第二光阻膜形成圖形化的第一光阻層，使第二區(qū)上的第二光阻膜形成圖形化的第二光阻層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，以所述第一光阻層為掩膜刻蝕基底的第一區(qū)，同時(shí)以第二光阻層為掩膜刻蝕基底的第二區(qū)；

或者，以所述第一光阻層為掩膜對(duì)基底的第一區(qū)進(jìn)行離子注入，同時(shí)以第二光阻層為掩膜對(duì)基底的第二區(qū)進(jìn)行離子注入。

9.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一區(qū)和第二區(qū)，第一區(qū)的頂部表面高于第二區(qū)的頂部表面；

僅位于基底的第一區(qū)的頂部表面的第一光阻膜；

位于第一光阻膜的表面和基底的第二區(qū)的頂部表面的第二光阻膜，第二區(qū)上的第二光阻膜的厚度大于第一區(qū)上的第二光阻膜的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基底僅包括第一區(qū)和第二區(qū)；所述第一區(qū)上第一光阻膜和第二光阻膜的總厚度等于所述第二區(qū)上第二光阻膜的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基底還包括第三區(qū)，所述第二區(qū)的頂部表面高于所述第三區(qū)的頂部表面；所述第三區(qū)的頂部表面未被第二光阻膜覆蓋；所述半導(dǎo)體器件還包括：位于第二光阻膜的表面和基底第三區(qū)的頂部表面的第三光阻膜，第三區(qū)上的第三光阻膜的厚度大于第二區(qū)上的第三光阻膜的厚度，且第二區(qū)上的第三光阻膜的厚度大于第一區(qū)上第三光阻膜的厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基底僅包括第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū)；所述第一區(qū)上第一光阻膜、第二光阻膜和第三光阻膜的總厚度，等于所述第二區(qū)上第二光阻膜和第三光阻膜的總厚度，所述第二區(qū)上第二光阻膜和第三光阻膜的總厚度等于所述第三區(qū)上第三光阻膜的厚度。