[發明專利]半導體存儲器裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201810076648.5
• 申請日: 2018-01-26
• 公開（公告）號: CN109493895B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 洪志滿
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C8/08
• 分類號: G11C8/08;G11C16/08;G11C16/34;G06F11/14
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;趙赫

1.一種操作半導體存儲器裝置的方法，所述方法包括：

確定聯接到過度編程的存儲器單元的目標字線；

將存儲在聯接到所述目標字線的存儲器單元中的數據備份到第二存儲區域中，所述第二存儲區域不同于其中設置有聯接到所述目標字線的所述存儲器單元的第一存儲區域；以及

當對聯接到所述目標字線的存儲塊中的所選擇的存儲器單元執行讀取操作時，將升高的讀取通過電壓施加到所述目標字線，所選擇的存儲器單元不同于所述過度編程的存儲器單元，

其中所述升高的讀取通過電壓具有比讀取通過電壓更高的電平，在所述讀取操作中，所述讀取通過電壓被施加到未被選擇的存儲器單元，所述未被選擇的存儲器單元未被過度編程。

2.根據權利要求1所述的方法，其中當所述升高的讀取通過電壓被施加到過度編程的單元時，所述過度編程的單元被導通。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所選擇的存儲器單元位于包括串聯連接的多個存儲器單元的存儲器單元串中，所述多個存儲器單元分別聯接到多個字線。

4.根據權利要求1所述的方法，其中確定所述目標字線包括檢測所述過度編程的存儲器單元。

5.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在將存儲在聯接到所述目標字線的所述存儲器單元中的數據備份到所述第二存儲區域中之后，使存儲在聯接到所述目標字線的所述存儲器單元中的所述數據無效。

6.根據權利要求5所述的方法，其中當所述第二存儲區域中的所述存儲器單元存儲所述備份數據之后，使所述數據無效包括利用對應于所述第二存儲區域中的所述存儲器單元的物理地址來更新對應于聯接到所述目標字線的所述存儲器單元的物理地址。

7.根據權利要求5所述的方法，其中當讀取存儲在聯接到所述目標字線的所述存儲器單元中的數據時，讀取所述備份數據。

8.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：將存儲在聯接到所述目標字線的所述存儲器單元中的所述數據備份到所述第二存儲區域中之后，升高讀取電壓，當讀取存儲在聯接到所述目標字線的所述存儲器單元中的所述數據時，所述讀取電壓被施加到所述目標字線。

9.根據權利要求8所述的方法，其中當讀取存儲在聯接到所述目標字線的所述存儲器單元中的所述數據時，使用升高的讀取電壓來執行所述讀取操作，所述升高的讀取電壓具有比所述讀取電壓更高的電平。

10.根據權利要求9所述的方法，其中作為對存儲在聯接到所述目標字線的所述存儲器單元中的所述數據的讀取操作的結果，當發生讀取失敗時，所述方法進一步包括額外升高已被升高的所述讀取電壓。

11.根據權利要求9所述的方法，其中作為對存儲在聯接到所述目標字線的所述存儲器單元中的所述數據的讀取操作的結果，當發生讀取失敗時，

使存儲在聯接到所述目標字線的所述存儲器單元中的所述數據無效，并且

讀取備份到所述第二存儲區域的所述數據。

12.根據權利要求11所述的方法，其中當所述第二存儲區域中的所述存儲器單元存儲所述備份數據時，通過利用對應于所述第二存儲區域中的所述存儲器單元的物理地址更新對應于聯接到所述目標字線的所述存儲器單元的物理地址來執行所述數據無效。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二存儲區域位于與所述目標字線聯接的所述存儲塊不同的存儲塊中。