[發明專利]磁阻式隨機存取存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 201810076594.2
• 申請日: 2018-01-26
• 公開（公告）號: CN110085737B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 林宏展;王裕平;陳宏岳
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種磁阻式隨機存取存儲器，其特征在于，包含：

基底；

導電插塞，位于該基底內，其中該導電插塞具有平坦頂面，該導電插塞的上緣的一側具有向外水平延伸超過該導電插塞的側壁并與該平坦頂面重疊的凸出部位，該上緣的另一側具有向內凹入的凹陷部位，該凸出部位包括與該平坦頂面和該導電插塞的該側壁連接并且具有與該導電插塞的該側壁的斜度不同的斜度的底面；以及

磁性存儲單元，包含下電極與該導電插塞電連接、磁隧穿接面位于該下電極上、以及上電極位于該磁隧穿接面上，其中該磁性存儲單元的底面與該導電插塞的平坦頂面直接接觸并完全重疊，并且該磁性存儲單元與該導電插塞的凸出部位完全重疊，其中該磁性存儲單元的中心線偏離該導電插塞的中心線。

2.如權利要求1所述的磁阻式隨機存取存儲器，還包含共形的襯層位于該基底與該磁性存儲單元的表面上。

3.如權利要求2所述的磁阻式隨機存取存儲器，還包含介電層，位于該襯層上。

4.如權利要求1所述的磁阻式隨機存取存儲器，其中該磁性存儲單元的該上電極與一上層金屬層電連接。

5.如權利要求1所述的磁阻式隨機存取存儲器，其中該導電插塞與一下層金屬層電連接。

6.如權利要求1所述的磁阻式隨機存取存儲器，其中該磁性存儲單元的該上電極、該磁隧穿接面、以及該下電極彼此完全重疊。

7.如權利要求1所述的磁阻式隨機存取存儲器，其中該磁性存儲單元兩側的該基底上具有凹陷區域，該凹陷區域的表面與該導電插塞的該凹陷部位的表面為一連續曲面。

8.一種制作磁阻式隨機存取存儲器的方法，其特征在于，包含：

提供一基底；

在該基底中形成導電插塞，其中該導電插塞的上緣具有向外側延伸的凸出部位；

在該基底以及該導電插塞上依序形成下電極材料層、磁隧穿接面材料層、以及上電極材料層；以及

進行一各向異性蝕刻制作工藝圖案化該下電極材料層、該磁隧穿接面材料層以及該上電極材料層，形成位于該導電插塞上的磁性存儲單元，其中該各向異性蝕刻制作工藝會過蝕刻該導電插塞與該基底，在該磁性存儲單元兩側的該基底上形成凹陷區域。

9.如權利要求8所述的制作磁阻式隨機存取存儲器的方法，其中該各向異性蝕刻制作工藝會過蝕刻該導電插塞，在該導電插塞的一側形成一凹陷部位。

10.如權利要求9所述的制作磁阻式隨機存取存儲器的方法，其中該導電插塞的該凹陷部位的表面與該基底的該凹陷區域的表面為一連續曲面。

11.如權利要求8所述的制作磁阻式隨機存取存儲器的方法，還包含在該磁性存儲單元上形成一上層金屬層。

12.如權利要求8所述的制作磁阻式隨機存取存儲器的方法，還包含在該磁性存儲單元以及該基底上形成一共形的襯層。