[發明專利]晶圓基座及離子注入設備

在審

• 申請號: 201810076040.2
• 申請日: 2018-01-26
• 公開（公告）號: CN108288600A
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 石志平;洪紀倫;倪明明;吳宗祐;林宗賢
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 武振華;吳敏

1.一種晶圓基座，其特征在于，包括：

晶圓載臺，所述晶圓載臺具有多個安裝孔；

多個檢測針，分別設置于各個安裝孔內且可在垂直于所述晶圓載臺表面的方向上下移動，在無晶圓狀態下，所述檢測針的第一端高于所述晶圓載臺的表面，在有晶圓狀態下，所述檢測針被晶圓壓迫下移；

位移傳感器，與所述多個檢測針耦合，適于在有晶圓狀態下檢測所述多個檢測針的下移距離，當至少一個檢測針的下移距離小于預設閾值時，確定所述晶圓位置發生異常。

2.根據權利要求1所述的晶圓基座，其特征在于，所述位移傳感器包括：

多個檢測組件，每一檢測組件包括第一導電件與第二導電件，其中，在每一檢測組件中，所述第一導電件耦接于固定于對應的檢測針的第二端，所述第二導電件與第一導電件相距所述預設閾值，在有晶圓狀態下，所述第一導電件隨所述檢測針向所述第二導電件移動；

輸入端以及輸出端，所述輸入端、多個檢測組件以及所述輸出端形成串聯回路，所述多個檢測組件中，第一個檢測組件的第一導電件與所述輸入端電連接，后一檢測組件的第一導電件與前一檢測組件的第二導電件電連接，最后一個檢測組件的第二導電件與所述輸出端電連接；

檢測器件，適于在有晶圓狀態下，檢測所述串聯回路是否導通，當所述串聯回路為斷開時，確定所述晶圓位置發生異常。

3.根據權利要求1或2所述的晶圓基座，其特征在于，所述預設閾值為所述晶圓載臺的表面無顆粒物時，所述檢測針從無晶圓狀態至有晶圓狀態的移動距離。

4.根據權利要求2所述的晶圓基座，其特征在于，所述輸入端和輸出端之間施加有檢測電壓，所述檢測器件包括電壓檢測器件，所述電壓檢測器件適于檢測所述串聯回路中每相鄰兩個檢測組件之間的連接點的電壓；

當所述電壓檢測器件的任一檢測結果為零時，所述電壓檢測器件確定所述晶圓位置發生異常。

5.根據權利要求2所述的晶圓基座，其特征在于，所述輸入端和輸出端之間施加有檢測電壓，所述檢測器件包括電流檢測器件；

當所述電流檢測器件的檢測結果為所述串聯回路中的電流為零時，所述電流檢測器件確定所述晶圓位置發生異常。

6.根據權利要求2所述的晶圓基座，其特征在于，所述檢測組件還包括：

彈性部件，所述彈性部件設置于第一導電件與第二導電件之間。

7.根據權利要求2所述的晶圓基座，其特征在于，

所述第一導電件具有朝向第二導電件伸出的導電凸出部，和/或第二導電件具有朝向第一導電件伸出的導電凸出部。

8.根據權利要求1所述的晶圓基座，其特征在于，所述多個安裝孔分布于所述晶圓載臺的不同位置。

9.根據權利要求1所述的晶圓基座，其特征在于，所述晶圓載臺為靜電吸盤式載臺。

10.一種離子注入設備，其特征在于，包括如權利要求1至9任一項所述的晶圓基座。