[發明專利]圖像傳感器及其制造方法

在審

• 申請號: 201810075133.3
• 申請日: 2018-01-26
• 公開（公告）號: CN108258001A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 王連紅;黃曉櫓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 歐陽帆

本公開涉及圖像傳感器及其制造方法。其中一個實施例提供了一種圖像傳感器，其包括：襯底，在所述襯底中形成有光電二極管，所述光電二極管由第一半導體材料構成；以及從所述襯底的一個主表面延伸到所述襯底中的深溝槽隔離部，所述深溝槽隔離部布置在所述光電二極管周圍，且至少包括絕緣材料和第二半導體材料，其中所述絕緣材料隔離各光電二極管，所述第二半導體材料的帶隙不同于所述第一半導體材料的帶隙。

技術領域

本公開涉及半導體領域，具體來說，涉及圖像傳感器及其制造方法。

背景技術

在現有的圖像傳感器中，存在著暗電流問題，會影響圖像傳感器的性能。

因此存在降低暗電流的需求。

發明內容

本公開的一個目的是提供一種新型的圖像傳感器及其制造方法。特別地，本公開的一個目的涉及降低圖像傳感器的暗電流。

根據本公開的第一方面，提供了一種圖像傳感器，其包括：襯底，在所述襯底中形成有光電二極管，所述光電二極管由第一半導體材料構成；以及從所述襯底的一個主表面延伸到所述襯底中的深溝槽隔離部，所述深溝槽隔離部布置在所述光電二極管周圍，且至少包括絕緣材料和第二半導體材料，其中所述絕緣材料隔離各光電二極管，所述第二半導體材料的帶隙不同于所述第一半導體材料的帶隙。

根據本公開的第二方面，提供了一種用于制造圖像傳感器的方法，其包括：通過從襯底的一個主表面對所述襯底進行刻蝕來形成深溝槽，其中所述襯底中已形成有光電二極管，所述光電二極管由第一半導體材料構成，所述深溝槽位于所述光電二極管周圍；填充所述深溝槽以形成深溝槽隔離部，所述深溝槽隔離部至少包括絕緣材料和第二半導體材料，其中所述絕緣材料隔離各光電二極管，所述第二半導體材料的帶隙不同于所述第一半導體材料的帶隙。

通過以下參照附圖對本發明的示例性實施例的詳細描述，本發明的其它特征及其優點將會變得更為清楚。

附圖說明

構成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。

參照附圖，根據下面的詳細描述，可以更加清楚地理解本公開，其中：

圖1示出了根據本公開一個示例性實施例的圖像傳感器的截面圖。

圖2示出了根據本公開一個示例性實施例的圖像傳感器的制造方法的流程圖。

圖3A-3G分別示出了在根據本公開一個示例性實施例來制造圖像傳感器的一個方法示例的各個步驟處的裝置截面示意圖。

注意，在以下說明的實施方式中，有時在不同的附圖之間共同使用同一附圖標記來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重復說明。在本說明書中，使用相似的標號和字母表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。

為了便于理解，在附圖等中所示的各結構的位置、尺寸及范圍等有時不表示實際的位置、尺寸及范圍等。因此，所公開的發明并不限于附圖等所公開的位置、尺寸及范圍等。

具體實施方式

下面將參照附圖來詳細描述本公開的各種示例性實施例。應注意到：除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數字表達式和數值不限制本公開的范圍。

以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本公開及其應用或使用的任何限制。也就是說，本文中的圖像傳感器及其制造方法是以示例性的方式示出，來說明本公開中的結構和方法的不同實施例。然而，本領域技術人員將會理解，它們僅僅說明可以用來實施的本發明的示例性方式，而不是窮盡的方式。此外，附圖不必按比例繪制，一些特征可能被放大以示出具體組件的細節。