[發(fā)明專利]三維縱向一次編程存儲(chǔ)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810075105.1
• 申請(qǐng)日: 2018-01-26
• 公開（公告）號(hào): CN110085588A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張國(guó)飆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門海存艾匹科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/112
• 分類號(hào): H01L27/112
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種三維縱向一次編程存儲(chǔ)器（3D-OTP_V），其特征還在于含有：

一含有一襯底電路(0K)的半導(dǎo)體襯底(0)；

多層處于該襯底電路(0K)之上并垂直堆疊的水平地址線(8a-8h)；

多個(gè)穿透所述多層水平地址線(8a-8h)的存儲(chǔ)井(2a)；

一層覆蓋該存儲(chǔ)井(2a)邊墻的反熔絲膜(6a)；

多條位于存儲(chǔ)井(2a)中的豎直地址線(4a)；

多個(gè)形成在該水平地址線(8a-8h) 與該豎直地址線(4a)交叉處的OTP存儲(chǔ)元(1aa-1ha)；

在一個(gè)讀周期(T)中，與一水平地址線電耦合的所有OTP存儲(chǔ)元(1aa-1ah)存儲(chǔ)的信息被讀出，所述水平地址線為一字線。

2.一種三維縱向一次編程存儲(chǔ)器（3D-OTP_V），其特征還在于含有：

一含有一襯底電路(0K)的半導(dǎo)體襯底(0)；

多層處于該襯底電路(0K)之上并垂直堆疊的水平地址線(8a-8h)；

多個(gè)穿透所述多層水平地址線(8a-8h)的存儲(chǔ)井(2a)；

一層覆蓋該存儲(chǔ)井(2a)邊墻的反熔絲膜(6a)；

多條位于存儲(chǔ)井(2a)中的豎直地址線(4a)；

多個(gè)形成在該水平地址線(8a-8h) 與該豎直地址線(4a)交叉處的OTP存儲(chǔ)元(1aa-1ha)；

在一個(gè)讀周期(T)中，與一豎直地址線電耦合的所有OTP存儲(chǔ)元(1aa-1ah)存儲(chǔ)的信息被讀出，所述豎直地址線為一字線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：所述讀周期含有一預(yù)充電階段，在所述預(yù)充電階段，與所述字線電耦合的所有位線被預(yù)充電到同一預(yù)設(shè)電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：所述讀周期含有一讀階段，在所述讀階段，與所述字線電耦合的所有位線的電壓變化的值遠(yuǎn)小于讀電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：所述存儲(chǔ)井(2a)不含有單獨(dú)的準(zhǔn)導(dǎo)通膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：所述存儲(chǔ)井(2a)含有一準(zhǔn)導(dǎo)通膜(16a)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：該水平地址線(8a-8h)含有一金屬材料，該豎直地址線(4a)含有一摻雜的半導(dǎo)體材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：該水平地址線(8a-8h)含有一摻雜的半導(dǎo)體材料，該豎直地址線(4a)含有至少一反向摻雜的半導(dǎo)體材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：所述存儲(chǔ)井(2a)中的存儲(chǔ)元(1aa-1ha)構(gòu)成一豎直存儲(chǔ)串(1A)，所述豎直存儲(chǔ)串(1A)與一縱向晶體管(7a)電耦合。

10.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的存儲(chǔ)器，其特征還在于：每個(gè)所述存儲(chǔ)元具有N（N>2）種狀態(tài)(11b-11d)，不同狀態(tài)下的反熔絲膜具有不同電阻。