[發明專利]攝像器件

有效

• 申請號: 201810074073.3
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN108389871B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 山下和芳
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L23/522;H04N5/374;H04N5/378
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 李晗;曹正建

1.一種攝像器件，其包括：

多個光電轉換元件，所述多個光電轉換元件形成在半導體基板中，所述多個光電轉換元件包括第一光電轉換元件和第二光電轉換元件；

第一傳輸晶體管；

浮動擴散區域，所述浮動擴散區域被配置為通過所述第一傳輸晶體管接收來自所述第一光電轉換元件的第一電荷；以及

第一電荷積累元件，所述第一電荷積累元件與所述第一光電轉換元件的區域重疊；

其中，所述第一光電轉換元件被配置為接收從所述半導體基板的第一表面進入的光，且

其中，所述第一電荷積累元件布置在所述半導體基板的第二表面上，所述第二表面與所述第一表面相對，

其中，所述第一電荷積累元件布置在布線層中，所述布線層布置在所述半導體基板的所述第二表面上。

2.根據權利要求1所述的攝像器件，其還包括：

所述布線層，

其中，所述攝像器件是背部照明型攝像器件，在所述背部照明型攝像器件中，所述第一光電轉換元件和所述第二光電轉換元件設置在所述半導體基板的光接收表面和所述布線層之間。

3.根據權利要求1所述的攝像器件，其中，所述攝像器件還包括第二傳輸晶體管和第二電荷積累元件，

其中，所述浮動擴散區域通過所述第二傳輸晶體管接收來自所述第二光電轉換元件的第二電荷，

其中，所述第二電荷積累元件與所述第二光電轉換元件的區域重疊，

其中，所述第二光電轉換元件被配置為接收從所述半導體基板的所述第一表面進入的光，且

其中，所述第二電荷積累元件布置在所述半導體基板的所述第二表面上。

4.根據權利要求3所述的攝像器件，其中，所述第一電荷積累元件和所述第二電荷積累元件是所述布線層的一部分。

5.根據權利要求3所述的攝像器件，其還包括：

光屏蔽層，

其中，所述第一電荷積累元件和所述第二電荷積累元件形成為所述光屏蔽層的一部分。

6.根據權利要求5所述的攝像器件，其中，所述第一電荷積累元件形成在所述光屏蔽層和所述第一光電轉換元件之間，所述第二電荷積累元件形成在所述光屏蔽層和所述第二光電轉換元件之間。

7.根據權利要求3所述的攝像器件，其中，所述第一電荷積累元件和所述第二電荷積累元件的每一者都包括第一電極和第二電極，其中所述第一電極和所述第二電極中的第一電極與電容量開關相連接。

8.根據權利要求3所述的攝像器件，其中，所述第一電荷積累元件和所述第二電荷積累元件的每一者是電容器。

9.根據權利要求1所述的攝像器件，其中，所述攝像器件是前部照明型攝像器件，其中所述第一光電轉換元件被包含在像面相位差像素中，其中所述第一電荷積累元件相對于所述第一光電轉換元件用作光屏蔽層。

10.根據權利要求1所述的攝像器件，其中，穿過所述第一光電轉換元件鄰近區域的光被所述第一電荷積累元件反射并入射到所述第一光電轉換元件上。

11.一種攝像器件，其包括：

多個光電轉換元件，所述多個光電轉換元件形成在半導體基板中，所述多個光電轉換元件包括第一光電轉換元件；

第一傳輸晶體管；

浮動擴散區域，所述浮動擴散區域被配置為通過所述第一傳輸晶體管接收來自所述第一光電轉換元件的第一電荷；以及

第一電荷積累元件，所述第一電荷積累元件與所述第一光電轉換元件的區域重疊，

其中，所述第一光電轉換元件被配置為接收從所述半導體基板的第一表面進入的光，以及

其中，所述第一電荷積累元件布置在所述半導體基板的第二表面上，所述第二表面與所述第一表面相對，

其中，所述第一電荷積累元件布置在布線層中，所述布線層布置在所述半導體基板的所述第二表面上。