[發明專利]一種OJ芯片制造二極管的生產工藝在審
| 申請號: | 201810074000.4 | 申請日: | 2018-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN108447768A | 公開(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發明(設計)人: | 張世華;張晏寧 | 申請(專利權)人: | 如皋市遠亞電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/329 |
| 代理公司: | 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
| 地址: | 226500 江蘇省南通*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 堿洗 二極管 芯片表面 芯片制造 電性 生產工藝 焊接 焊料 金屬離子吸附 金屬與酸反應 化學鍵 二極管制造 金屬離子 金屬物質 影響芯片 傳統的 膠固化 清洗液 酸反應 鈍化 防碎 附著 擊穿 良率 排出 上膠 生熱 塑封 酸洗 預洗 清洗 芯片 腐蝕 金屬 排放 土壤 節約 污染 | ||
本發明涉及一種OJ芯片制造二極管的生產工藝,其特征在于:具體方法包括如下步驟:S1:OJ芯片的防碎處理;S2:堿預洗;S3:焊接;S4:鈍化與堿洗;S5:上膠;S6:膠固化;S7:塑封;本發明二極管制造工藝中采用堿洗的方式,焊接后進行堿洗,避免了酸洗時焊料、引線中的金屬物質與酸反應影響芯片腐蝕速率;避免金屬與酸反應生成的金屬離子會以化學鍵的方式附著在芯片表面,省去大量清洗的過程,節約了資源;同時,由于沒有金屬離子吸附在芯片表面,避免產品的電性衰降和高溫下發生熱擊穿等故障,電性良率較傳統的96%提高至98%;此外,也避免了排出的清洗液中PH值偏低以及金屬含量高的情況,排放后不會對土壤造成嚴重的污染。
技術領域
本發明涉及二極管生產領域,尤其涉及一種OJ芯片制造二極管的生產工藝。
背景技術
二極管是最常用的電子元件之一,最大的特性就是單向導電,也就是電流只可以從二極管的一個方向流過,二極管的作用有整流電路,檢波電路,穩壓電路,各種調制電路也主要是由二極管來構成的。
隨著二極管在市場上的廣泛應用,其需求量也就越來越高。目前二極管,是采用芯片、焊料和引線進行高溫焊接,再對芯片表面進行酸處理,但在酸洗過程中,焊料和引線中的金屬雜質會和酸液反應,影響芯片的腐蝕速率;同時,這些金屬與酸反應生成的金屬離子會附著在芯片表面,后工序中需要大量的清水和化學試劑清洗;這樣的清洗不但消耗了大量的資源,并且附著在芯片表面的銅離子無法徹底清洗,會使得產品的電性衰降和高溫下發生熱擊穿等故障;此外,也使得排出的清洗液中PH值偏低以及金屬含量高,排放后會對土壤造成嚴重的污染。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種OJ芯片制造二極管的生產工藝,解決了一般采用酸洗工藝導致產生大量的酸性物質不易處理的問題。
為解決上述技術問題,本發明的技術方案為:一種OJ芯片制造二極管的生產工藝,其創新點在于:具體方法包括如下步驟:
S1:OJ芯片的防碎處理:在OJ芯片的外表面上通過電鍍銅液進行化鍍,使得OJ芯片的表面覆蓋一層銅膜,所述銅膜的厚度為5μm-10μm;化鍍溫度為35℃-45℃,化鍍時間為15min-20min;
S2:堿預洗:在完成S1的OJ芯片電鍍銅防碎處理后,將電鍍銅后的OJ芯片放入7%-10%的燒堿溶液中進行15min-20min的清洗;燒堿的溫度為75℃-85℃;
S3:焊接:將兩金屬引線電極、焊片和堿預洗后的OJ芯片裝入工裝夾具內,送入焊接爐加溫,溫度控制在 340±5℃,焊接時間為12min-15min,使OJ芯片與金屬引線連接;
S4:鈍化與堿洗:將焊接工藝后的帶引線OJ芯片投入到濃度為2%-3%的燒堿中90S-150S進行堿洗且燒堿的溫度為75℃-85℃;然后加入鈍化液中20s-40s鈍化處理,取出烘干;
S5:上膠:在OJ芯片外形成一個環繞在芯片外圍的環形間隙,然后向環形間隙內灌入OJ芯片護封用膠,使OJ芯片護封用膠環繞在OJ芯片外側壁表面;所述OJ芯片護封用膠使用常溫固化膠或高溫固化膠,并通過灌注針頭將OJ芯片護封用膠灌注至所述的OJ芯片環形間隙中,灌注時,灌注針頭通過N2加壓進行灌注,N2壓力控制在0.5-2.0kgf/cm2,灌注時間為5-10S;
S6:膠固化:將灌膠后的芯片和引線進行芯片護封膠用固化,直至固化完全,固化溫度為60℃-250℃,固化時間為8h-12h;
S7:塑封:膠固化后,對OJ芯片和引線進行塑封,通過塑封工序,形成一包裹芯片及引線的塑封結構;所述塑封中塑封材料為低溫固化AB膠、高溫固化AB膠或傳統環氧樹脂。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





