[發明專利]攝像器件及其驅動方法和攝像裝置

有效

• 申請號: 201810073950.5
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN108156400B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 山下和芳
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H04N5/369
• 分類號: H04N5/369;H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 曹正建;陳桂香

1.一種圖像傳感器，其包括：

半導體基板，其包括：

多個光電轉換元件，所述多個光電轉換元件至少包括第一光電轉換元件和第二光電轉換元件；

電荷-電壓轉換元件，其中，所述電荷-電壓轉換元件被所述第一光電轉換元件和所述第二光電轉換元件共用；

電容量開關，其中，所述電容量開關被所述第一光電轉換元件和所述第二光電轉換元件共用；

第一電荷積累元件，其鄰近于所述第一光電轉換元件，其中，所述第一電荷積累元件的至少一部分與所述第一光電轉換元件的電荷積累區域重疊；

第二電荷積累元件，其鄰近于所述第二光電轉換元件，其中，所述第二電荷積累元件的至少一部分與所述第二光電轉換元件的電荷積累區域重疊，其中，所述第一電荷積累元件和所述第二電荷積累元件通過所述電容量開關選擇性地連接到所述電荷-電壓轉換元件，

其中，當所述電容量開關閉合時，所述第一電荷積累元件和所述第二電荷積累元件的電容量被添加至所述電荷-電壓轉換元件的電容量。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述第一光電轉換元件設置在所述第一電荷積累元件和所述半導體基板的光接收表面之間，且其中，所述第二光電轉換元件設置在所述第二電荷積累元件和所述半導體基板的所述光接收表面之間。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其還包括：

布線層，其中，所述圖像傳感器為背部照明型圖像傳感器，在所述背部照明型圖像傳感器中，所述第一光電轉換元件和所述第二光電轉換元件設置在所述半導體基板的光接收表面與所述布線層之間。

4.根據權利要求3所述的圖像傳感器，其中，所述第一電荷積累元件和所述第二電荷積累元件是所述布線層的一部分。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其還包括光屏蔽層。

6.根據權利要求5所述的圖像傳感器，其中，所述第一電荷積累元件和所述第二電荷積累元件形成為所述光屏蔽層的一部分。

7.根據權利要求5所述的圖像傳感器，其中，所述第一電荷積累元件形成在所述光屏蔽層與所述第一光電轉換元件之間，且其中，所述第二電荷積累元件形成在所述光屏蔽層與所述第二光電轉換元件之間。

8.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述第一電荷積累元件和所述第二電荷積累元件中的每一者包括第一電極和第二電極，其中，所述第一電極連接到所述電容量開關。

9.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述電荷-電壓轉換元件是浮動擴散區域，且其中，所述第一電荷積累元件和所述第二電荷積累元件中的每一者是電容器。

10.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述圖像傳感器是前部照明型圖像傳感器，其中，所述第一光電轉換元件被包含在像面相位差像素中，且其中，所述第一電荷積累元件作為所述第一光電轉換元件的光屏蔽層進行操作。