[發明專利]一種金屬納米顆粒的制備方法有效
| 申請號: | 201810073372.5 | 申請日: | 2018-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN108315769B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 水玲玲;韓庚辛;曹潔萍;金名亮;周國富 | 申請(專利權)人: | 華南師范大學 |
| 主分類號: | C25C5/02 | 分類號: | C25C5/02;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 唐致明 |
| 地址: | 510006 廣東省廣州市番禺區外*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬 納米 顆粒 制備 方法 | ||
1.一種金屬納米顆粒的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)取或制備反應池,所述反應池包括襯底和設置在所述襯底上的圍堰結構,所述圍堰結構在所述襯底上圍成反應區域,所述反應區域內制備有金屬氧化物層;
(2)在所述反應池中加入導電溶液;
(3)連接電源,所述導電溶液與電源的正極電性連接,所述金屬氧化物層與電源的負極電性連接,接通電源進行電解,與電源的負極電性連接的金屬氧化物層為陰極,在陰極極化過程中金屬氧化物層形成金屬納米顆粒并吸附在金屬氧化物層表面;
所述金屬氧化物層的材料為銦錫氧化物,所述導電溶液為去離子水、堿性溶液、H2SO4溶液、NaCl溶液中的任一種,步驟(3)中電解的時間為0.5~60min,電解時的電場強度為0.1~100V/μm,金屬氧化物層的厚度為10~1000nm。
2.根據權利要求1所述的金屬納米顆粒的制備方法,其特征在于,步驟(1)具體為:取襯底,在所述襯底上制備金屬氧化物層,再在所述金屬氧化物層上制備圍堰結構。
3.根據權利要求1-2任一項所述的金屬納米顆粒的制備方法,其特征在于,所述圍堰結構的材料為丙烯酸酯聚合物、環氧樹脂、水溶性壓敏膠、硅膠的任一種。
4.根據權利要求1-2任一項所述的金屬納米顆粒的制備方法,其特征在于,步驟(1)中所述金屬氧化物層的制備方式為磁控濺射法、真空蒸發法、離子增強沉積法、激光脈沖沉積法、溶膠凝膠法、噴霧熱解法、化學氣相沉積法、均相沉淀法中的任一種。
5.根據權利要求1-2任一項所述的金屬納米顆粒的制備方法,其特征在于,所述襯底的材料為玻璃、石英、硅、聚合物中的任一種。
6.根據權利要求1-2任一項所述的金屬納米顆粒的制備方法,其特征在于,步驟(3)中所述導電溶液通過導線、導電板、帶有導電層的基板中的任一種與電源的正極電性連接,所述金屬氧化物層通過導線、導電板、帶有導電層基板中的任一種與電源的負極電性連接。
7.根據權利要求6所述的金屬納米顆粒的制備方法,其特征在于,所述導線為金絲、銀絲、鉑絲、鎢絲、銅絲、鋁絲中的任一種;所述導電板為金板、銀板、鉑板、鎢板、銅板、鋁板中的任一種;所述帶有導電層的基板為帶有銦錫氧化物導電層的基板、帶有FTO導電層的基板、帶有ZTO導電層的基板中的任一種。
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