[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810072812.5 | 申請日： | 2018-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN109326502A | 公開（公告）日： | 2019-02-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 許耀文;連建洲;楊能杰;吳嘉偉;陳冠霖;黃國彬;陳立民 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 刻蝕溶液 刻蝕劑 溶劑 材料暴露 移除 催化劑 合并 申請 制造 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：
把硬掩膜材料暴露于濕法刻蝕溶液，所述濕法刻蝕溶液包括：
促刻蝕劑材料，該材料能夠與所述硬掩膜材料反應(yīng)；和
螯合劑溶劑，該溶劑對所述促刻蝕劑材料與所述硬掩膜材料的反應(yīng)進(jìn)行催化；以及
用所述濕法刻蝕溶液移除所述硬掩膜材料的至少一部分。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
