[發明專利]三維縱向一次編程存儲器

在審

• 申請號: 201810072197.8
• 申請日: 2018-01-25
• 公開（公告）號: CN110085587A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 張國飆
• 申請（專利權）人: 杭州海存信息技術有限公司
• 主分類號: H01L27/112
• 分類號: H01L27/112
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種三維縱向一次編程存儲器（3D-OTP_V），其特征還在于含有：

一含有一襯底電路(0K)的半導體襯底(0)；

多層處于該襯底電路(0K)之上并垂直堆疊的水平地址線(8a-8h)；

多個穿透所述多層水平地址線(8a-8h)的存儲井(2a)；

一層覆蓋該存儲井(2a)邊墻的反熔絲膜(6a)，在編程時該反熔絲膜(6a)從高電阻態不可逆轉地轉變為低電阻態；

多條位于存儲井(2a)中的豎直地址線(4a)；

多個形成在該水平地址線(8a-8h) 與該豎直地址線(4a)交叉處的OTP存儲元(1aa-1ha)；

在一個讀周期(T)中，與一水平地址線電耦合的所有OTP存儲元(1aa-1ah)存儲的信息被讀出，所述水平地址線為一字線。

2.一種三維縱向一次編程存儲器（3D-OTP_V），其特征還在于含有：

一含有一襯底電路(0K)的半導體襯底(0)；

多層處于該襯底電路(0K)之上并垂直堆疊的水平地址線(8a-8h)；

多個穿透所述多層水平地址線(8a-8h)的存儲井(2a)；

一層覆蓋該存儲井(2a)邊墻的反熔絲膜(6a)，在編程時該反熔絲膜(6a)從高電阻態不可逆轉地轉變為低電阻態；

多條位于存儲井(2a)中的豎直地址線(4a)；

多個形成在該水平地址線(8a-8h) 與該豎直地址線(4a)交叉處的OTP存儲元(1aa-1ha)；

在一個讀周期(T)中，與一豎直地址線電耦合的所有OTP存儲元(1aa-1ah)存儲的信息被讀出，所述豎直地址線為一字線。

3.根據權利要求1和2所述的存儲器，其特征還在于：所述讀周期含有一預充電階段，在所述預充電階段，與所述字線電耦合的所有位線被預充電到同一預設電壓。

4.根據權利要求1和2所述的存儲器，其特征還在于：所述讀周期含有一讀階段，在所述讀階段，與所述字線電耦合的所有位線的電壓變化的值遠小于讀電壓。

5.根據權利要求1和2所述的存儲器，其特征還在于：所述存儲井(2a)不含有單獨的準導通膜。

6.根據權利要求1和2所述的存儲器，其特征還在于：所述存儲井(2a)含有一準導通膜(16a)。

7.根據權利要求1和2所述的存儲器，其特征還在于：該水平地址線(8a-8h)含有一金屬材料，該豎直地址線(4a)含有一摻雜的半導體材料。

8.根據權利要求1和2所述的存儲器，其特征還在于：該水平地址線(8a-8h)含有一摻雜的半導體材料，該豎直地址線(4a)含有至少一反向摻雜的半導體材料。

9.根據權利要求1和2所述的存儲器，其特征還在于：所述存儲井(2a)中的存儲元(1aa-1ha)構成一豎直存儲串(1A)，所述豎直存儲串(1A)與一縱向晶體管(7a)電耦合。

10.根據權利要求1和2所述的存儲器，其特征還在于：每個所述存儲元具有N（N>2）種狀態(11b-11d)，不同狀態下的反熔絲膜具有不同電阻。