[發明專利]一種溝槽肖特基二極管的結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201810072178.5
• 申請日: 2018-01-25
• 公開（公告）號: CN108231913A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 周祥瑞;殷允超
• 申請（專利權）人: 江蘇捷捷微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 盧海洋

1.一種溝槽肖特基二極管的結構，其特征在于：它包括溝槽和勢壘區，溝槽為分段式溝槽結構或點狀式溝槽結構，勢壘區位于各分段式分布或點狀分布的溝槽周邊。

2.根據權利要求1所述的一種溝槽肖特基二極管的結構，其特征在于：分段式溝槽結構的縱向溝槽間距需要小于或者等于橫向溝槽間距；縱向溝槽長度需大于橫向溝槽寬度；橫向溝槽寬度的范圍為0.4-2um之間, 橫向溝槽間距的范圍為1-3um之間。

3.根據權利要求1所述的一種溝槽肖特基二極管的結構，其特征在于：點狀式溝槽結構的相應溝槽間距都是相同的, 溝槽形狀為圓形或正方形；溝槽寬度范圍為0.4-2um之間,溝槽間距范圍為1-3um之間。

4.根據權利要求1所述的一種溝槽肖特基二極管的結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在外延層上生長熱氧化層或者淀積絕緣層，厚度為4000-7000埃；

（2）溝槽光刻，并做選擇性腐蝕熱氧化層或絕緣層，去除剩余光刻膠，溝槽光刻線寬在0.4-0.8um；

（3）溝槽蝕刻，去除剩余熱氧化層或絕緣層，溝槽深度范圍為1-4um之間；

（4）高溫生長犧牲氧化層，去除犧牲氧化層；

（5）高溫生長柵氧化層，柵氧化層厚度范圍為1000-5000埃，多晶硅淀積，多晶硅厚度為6000-12000埃；

（6）多晶硅淀積后再蝕刻，淀積絕緣層，絕緣層厚度在5000-10000埃；

（7）接觸孔光刻并做選擇性接觸孔腐蝕，去除剩余光刻膠；

（8）清洗待濺射勢壘區，濺射勢壘金屬并高溫快速退火；

（9）淀積正面金屬層，正面金屬光刻并腐蝕，去除剩余光刻膠；

（10）減薄背面金屬層，淀積背面金屬層。

5.根據權利要求4所述的一種溝槽肖特基二極管的結構的制造方法，其特征在于：絕緣層為低壓四乙氧基硅烷絕緣層。

6.根據權利要求4所述的一種溝槽肖特基二極管的結構的制造方法，其特征在于：勢壘金屬包括鈦、鉻、鎳或鉑。