[發(fā)明專利]一種LED芯片及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810072168.1 | 申請日： | 2018-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN108269890B | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 賈釗;趙炆兼;馬祥柱;張國慶;陳凱軒 | 申請（專利權(quán)）人： | 揚州乾照光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/08;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 225101 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鍵合結(jié)構(gòu) 鍵合層 鍵合 發(fā)光層表面 第二區(qū)域 第一區(qū)域 發(fā)光層 制作 第二電極 第一電極 電流流向 發(fā)光效率 散熱方向 使用壽命 襯底 緩解 | ||
1.一種LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
制作第一鍵合結(jié)構(gòu)，所述第一鍵合結(jié)構(gòu)包括：第一砷化鎵襯底、位于所述第一砷化鎵襯底表面第一區(qū)域的第一發(fā)光層、位于所述第一發(fā)光層側(cè)壁的第一阻擋層、位于所述第一發(fā)光層背離所述第一砷化鎵襯底的第一鍵合層，所述第一鍵合層還覆蓋所述第一砷化鎵襯底表面的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域與所述第一區(qū)域并列；
制作第二鍵合結(jié)構(gòu)，所述第二鍵合結(jié)構(gòu)包括：第二砷化鎵襯底、位于所述第二砷化鎵襯底表面第一區(qū)域的第二發(fā)光層、位于所述第二發(fā)光層側(cè)壁的第二阻擋層、位于所述第二發(fā)光層背離所述第二砷化鎵襯底的第二鍵合層，所述第二鍵合層還覆蓋所述第二砷化鎵襯底表面的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域與所述第一區(qū)域并列；
利用所述第一鍵合層和所述第二鍵合層，將所述第一鍵合結(jié)構(gòu)和所述第二鍵合結(jié)構(gòu)鍵合，其中，所述第二鍵合層中的第一區(qū)域與所述第一鍵合層中的第二區(qū)域鍵合，所述第二鍵合層中的第二區(qū)域與所述第一鍵合層中的第一區(qū)域鍵合；
去除所述第一砷化鎵襯底以及位于所述第二發(fā)光層表面的第一鍵合層和第二鍵合層；
在所述第一發(fā)光層表面形成第一電極；
在所述第二發(fā)光層表面形成第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，該方法在去除所述第一砷化鎵襯底以及位于所述第二發(fā)光層表面的第一鍵合層和第二鍵合層之前還包括：
去除所述第二砷化鎵襯底，并在所述第二砷化鎵襯底所在位置形成第三鍵合層；
在所述第三鍵合層背離所述第一砷化鎵的一側(cè)鍵合硅襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作第一鍵合結(jié)構(gòu)包括：
提供第一砷化鎵襯底；
在所述第一砷化鎵襯底表面第一區(qū)域形成第一發(fā)光層；
在所述第一發(fā)光層側(cè)壁形成第一阻擋層；
在所述第一發(fā)光層背離所述第一砷化鎵襯底一側(cè)形成第一鍵合層，所述第一鍵合層還覆蓋所述第一砷化鎵襯底表面的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域與所述第一區(qū)域并列。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述第一發(fā)光層背離所述第一砷化鎵襯底一側(cè)形成第一鍵合層包括：
在所述第一發(fā)光層背離所述第一砷化鎵襯底一側(cè)形成第一反射層，所述第一反射層還覆蓋所述第一砷化鎵襯底表面的第二區(qū)域；
在所述第一反射層背離所述第一發(fā)光層一側(cè)形成第一粘合層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一鍵合層的形成工藝為蒸鍍工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一阻擋層為非導電的透明氧化物層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的制作方法，其特征在于，該方法包括：
對所述第一發(fā)光層未被所述第一電極覆蓋的區(qū)域進行粗化處理；
對所述第二發(fā)光層未被所述第二電極覆蓋的區(qū)域進行粗化處理。
8.一種LED芯片，其特征在于，利用權(quán)利要求1-7任一項所述的制作方法制作，該LED芯片包括：
襯底；
位于所述襯底表面的第三鍵合層，所述第三鍵合層表面包括并列的第一區(qū)域和第二區(qū)域以及位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的第三區(qū)域；
位于所述第一區(qū)域的第一發(fā)光層；
位于所述第二區(qū)域的第二發(fā)光層；
位于所述第三區(qū)域的阻擋層；
位于所述第一發(fā)光層背離所述第三鍵合層一側(cè)的第一電極；
位于所述第二發(fā)光層背離所述第三鍵合層一側(cè)的第二電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述第一發(fā)光層表面未被所述第一電極覆蓋的區(qū)域為粗糙表面；所述第二發(fā)光層表面未被所述第二電極覆蓋的區(qū)域為粗糙表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述襯底為硅襯底。
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