[發明專利]一種集成電路的引線連接方法

在審

• 申請號: 201810070645.0
• 申請日: 2018-01-25
• 公開（公告）號: CN110164780A
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: 程平
• 申請（專利權）人: 安徽華晶微電子材料科技有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京華仲龍騰專利代理事務所(普通合伙) 11548
• 代理人: 李靜

本發明公開了一種集成電路的引線連接方法，將引線框架拼版的所有單元窗口排列分布，引線框架拼版連接電鍍陰極，在厚膜基板上采用共晶焊接金屬焊片，將金屬線與外引線柱以平行點焊焊接，以完成引線連接；本發明相比現有技術具有以下優點：將引線框架拼版的所有單元窗口排列分布采用交錯電鍍，實現正整版引線框架拼版的單元窗口更多，密集度更高，提高制造作業效率；同時實現了厚膜混合集成電路的粗絲外引線點焊互連，可以提高常規混合集成電路外引線互連可靠性，具有外引線互連工藝加工簡潔易行、外引線結合強度高、適用廣泛的顯著效果。

技術領域

本發明涉及集成電路引線加工技術領域，尤其涉及的是一種集成電路的引線連接方法。

背景技術

微電子技術是實現電子系統小型化、多功能、高可靠的重要途徑，近年來在各領域得到了廣泛應用；微電子厚膜混合集成電路外引線互連工藝是指實現金屬外殼引線柱與電路基板電學互連的工藝，外引線互連工藝是微電子產品的一項基礎組裝工藝；厚膜混合集成電路中，實現金屬外殼引線柱與電路基板電學互連的常見方法為引線鍵合互連工藝、引線焊接互連工藝，這兩種外引線互連工藝均存在相關問題。

而引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合金絲實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產業中重要的基礎材料；QFP封裝的引線框架在進行金絲焊接和封裝前的一個必要步驟就是在引線框架的銅箔表層電鍍一層金屬銀，以增加其電氣導電率；在現有技術 中，由于QFP 封裝微小，電極觸點很接近，因此在整個拼版的設計中，必須將單元窗口間隔加大，因此整版的單元窗口少，間隔大，都是對稱性分布的，整體生產效率低；而引線鍵合互連工藝的可靠性隱患在于，目前多數都用鍍Au或鍍Ni外殼，鍍Au外殼粗鋁絲鍵合受Au－Al鍵合系統可靠性問題的影響一直未能有效解決，關于Au－Al鍵合系統，其在低溫下相對安全，但經過高溫封蓋、長時間高溫烘烤等高溫處理則會出現柯肯特爾空洞，造成鍵合線剝離脫落的失效問題。這一問題對于厚膜功率電路的質量和可靠性來說是致命的。而采用鍍Ni外殼時，雖然形成的Al-Ni鍵合相比Al-Ag或Al-Au鍵合更可靠，但因鎳表面極容易氧化存在鍵合困難、鍵合不上等鍵合性差的問題，或者需要增加特殊的工序來實現，另外，金帶外引線鍵合雖然可靠性較高，但因成本太高幾乎不會采用， 而銅絲引線鍵合雖然成本低，但卻存在一些金絲鍵合所不易出現的缺陷，主要有基板裂紋、硅坑、鍵合強度低和虛焊等問題，這些缺陷嚴重影響了銅絲鍵合的大規模應用。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的不足，提供了一種集成電路的引線連接方法。

本發明是通過以下技術方案實現的：一種集成電路的引線連接方法，將引線框架拼版的所有單元窗口排列分布，引線框架拼版連接電鍍陰極，電鍍液連接電鍍陽極，以通電電鍍；在厚膜基板上采用共晶焊接金屬焊片，將金屬線與外引線柱以平行點焊焊接，將金屬線與基板上的金屬焊片以平行點焊焊接，以完成引線連接。

本發明相比現有技術具有以下優點：將引線框架拼版的所有單元窗口排列分布采用交錯電鍍，實現正整版引線框架拼版的單元窗口更多，密集度更高，提高制造作業效率；同時實現了厚膜混合集成電路的粗絲外引線點焊互連，可以提高常規混合集成電路外引線互連可靠性，具有外引線互連工藝加工簡潔易行、外引線結合強度高、適用廣泛的顯著效果。

具體實施方式

下面對本發明的實施例作詳細說明，本實施例在以本發明技術方案為前提下進行實施，給出了詳細的實施方式和具體的操作過程，但本發明的保護范圍不限于下述的實施例。