[發明專利]使用多重對稱陣列參考單元的MRAM芯片及檢測方法在審
| 申請號： | 201810070105.2 | 申請日： | 2018-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN110070899A | 公開（公告）日： | 2019-07-30 |
| 發明（設計）人： | 夏文斌;戴瑾 | 申請（專利權）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/16 | 分類號： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于曉菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 參考單元 多行 對稱陣列 芯片 參考行 地址編碼器 面積使用率 不良單元 產品良率 讀寫電路 參考 編碼器 不良品 列地址 減小 電路 檢測 占據 | ||
1.一種使用多重對稱陣列參考單元的MRAM芯片，其特征在于，包括：兩MRAM陣列，每一所述MRAM陣列對應一行地址編碼器、列地址編碼器，兩所述MRAM陣列共用一讀寫電路；所述MRAM陣列中插入多行參考單元行，所述多行參考單元行等分所述MRAM陣列。
2.一種根據權利要求1所述的使用多重對稱陣列參考單元的MRAM芯片的檢測方法，其特征在于，包括：對所述MRAM陣列完成寫入操作，對一所述MRAM陣列進行行讀操作獲取被讀字，另一所述MRAM陣列根據行讀操作的信息選擇與被讀字對稱位置最接近的一參考單元行，再選擇一參考字作為參考單元。
3.根據權利要求2所述的使用多重對稱陣列參考單元的MRAM芯片的檢測方法，其特征在于，所述行地址編碼器打開匹配的MRAM陣列中的一行，匹配的所述列地址編碼器選擇這一行中的字，進行寫入操作。
4.根據權利要求2所述的使用多重對稱陣列參考單元的MRAM芯片的檢測方法，其特征在于，對MRAM陣列進行行讀操作包括：匹配的行地址編碼器打開被讀行，列地址編碼器選擇被讀字。
5.根據權利要求2所述的使用多重對稱陣列參考單元的MRAM芯片的檢測方法，其特征在于，在產線上對參考單元行中的參考單元進行測試，對沒有不良的單元的參考字進行標記。
6.一種使用多重對稱陣列參考單元的MRAM芯片，其特征在于，包括：兩MRAM陣列，每一所述MRAM陣列對應一行地址編碼器，兩所述MRAM陣列共用一列地址編碼器、一讀寫電路；所述MRAM陣列中插入多行參考單元行，所述多行參考單元行等分所述MRAM陣列。
7.一種根據權利要求6所述的使用多重對稱陣列參考單元的MRAM芯片的檢測方法，其特征在于，對所述MRAM陣列完成寫入操作，對一所述MRAM陣列進行行讀操作，另一所述MRAM陣列根據行讀操作的信息選擇一對稱位置最接近的參考單元行，打開列地址編碼器選擇被讀字，所述列地址編碼器同時選擇一參考字作為參考單元。
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