[發明專利]一種太赫茲頻段的金屬-介質超材料結構的器件有效
| 申請號： | 201810069164.8 | 申請日： | 2018-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN108363119B | 公開（公告）日： | 2019-11-08 |
| 發明（設計）人： | 亓麗梅;劉暢;陳智嬌;姚遠;俞俊生;陳曉東 | 申請（專利權）人： | 北京郵電大學 |
| 主分類號： | G02B1/00 | 分類號： | G02B1/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 馬敬;項京 |
| 地址： | 100876 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬層 第一區域 超材料結構 鍍金屬 頻段 介質層 第二區域 金屬 周期性排列 多層金屬 加工 | ||
1.一種太赫茲頻段的金屬-介質超材料結構的器件，其特征在于，所述太赫茲頻段的金屬-介質超材料結構的器件包括介質層和金屬層，所述金屬層鍍于所述介質層的一個表面；
所述金屬層中呈周期性排列有多個第一區域；
當所述多個第一區域為未鍍金屬區域時，所述金屬層中除所述多個第一區域之外的第二區域為鍍金屬區域；其中，所述第一區域為在預設寬度的正方形邊框上，去除相鄰兩條邊上對稱位置的長為預設長度、寬為所述預設寬度的矩形區域得到的區域，所述預設長度小于所述正方形邊框的邊長。
2.根據權利要求1所述的太赫茲頻段的金屬-介質超材料結構的器件，其特征在于，所述多個第一區域的周期范圍為50um～500um。
3.根據權利要求1所述的太赫茲頻段的金屬-介質超材料結構的器件，其特征在于，所述介質層的厚度大于1um。
4.根據權利要求1所述的太赫茲頻段的金屬-介質超材料結構的器件，其特征在于，所述金屬層的厚度大于150nm。
5.根據權利要求1所述的太赫茲頻段的金屬-介質超材料結構的器件，其特征在于，所述介質層的材料為石英、硅、藍寶石、有機高分子聚合薄膜材料或氧化硅。
6.根據權利要求1所述的太赫茲頻段的金屬-介質超材料結構的器件，其特征在于，所述金屬層的金屬為鋁、金或銀。
7.根據權利要求1所述的太赫茲頻段的金屬-介質超材料結構的器件，其特征在于，所述金屬層的金屬通過熱蒸發沉積法鍍于所述介質層的表面。
8.根據權利要求1所述的太赫茲頻段的金屬-介質超材料結構的器件，其特征在于，所述未鍍金屬區域通過光刻法、化學刻蝕法或激光切割法形成。
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