[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810069147.4 | 申請日: | 2018-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN108364946B | 公開(公告)日: | 2022-12-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 嶋本健一 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/488;H01L23/367;H03F1/00;H03F1/30;H03F3/21 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 張鑫 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 芯片 | ||
本發(fā)明提供一種能縮小安裝面積,并能抑制晶體管的發(fā)熱的影響的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片包括:對第1信號進(jìn)行放大并輸出第2信號的第1晶體管;對第2信號進(jìn)行放大并輸出第3信號的第2晶體管;以及具有平行于由第1方向及第2方向所規(guī)定的平面的主面,并形成有第1及第2晶體管的半導(dǎo)體基板,主面上設(shè)有:與第1晶體管的集電極或漏極相連接的第1凸點(diǎn);與第1晶體管的發(fā)射極或源極相連接的第2凸點(diǎn);與第2晶體管的集電極或漏極相連接的第3凸點(diǎn)、及與第2晶體管的發(fā)射極或源極相連接的第4凸點(diǎn),在俯視主面時,第1凸點(diǎn)呈圓形,第2、第3及第4凸點(diǎn)呈矩形或橢圓形,第2、第3及第4凸點(diǎn)的面積比第1凸點(diǎn)的面積要大。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片。
背景技術(shù)
作為將半導(dǎo)體芯片安裝于基板的方法之一,具有使用了凸點(diǎn)的倒裝芯片技術(shù)。倒裝芯片技術(shù)一般而言,具有與引線接合相比能縮小安裝面積的優(yōu)點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
這里,例如在移動電話等移動通信設(shè)備中使用功率放大電路。功率放大電路中用于放大功率的晶體管具有溫度特性。因此,若晶體管因放大動作而發(fā)熱,則晶體管的特性會因溫度的上升而產(chǎn)生變動。若在上述功率放大電路中使用上述倒裝芯片技術(shù),則會具有如下問題:雖然安裝面積有所縮小,但未充分進(jìn)行散熱,對晶體管的特性產(chǎn)生影響。
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的,其目的在于,提供一種能縮小安裝面積,并能抑制晶體管發(fā)熱的影響的半導(dǎo)體芯片。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
為了達(dá)成上述目的,本發(fā)明的一個側(cè)面所涉及的半導(dǎo)體芯片包括:對第1信號進(jìn)行放大并輸出第2信號的第1晶體管;對第2信號進(jìn)行放大并輸出第3信號的第2晶體管;以及具有平行于由第1方向及與第1方向交叉的第2方向所規(guī)定的平面的主面,并形成有第1晶體管及第2晶體管的半導(dǎo)體基板,半導(dǎo)體基板的主面上設(shè)有:與第1晶體管的集電極或漏極電連接的第1凸點(diǎn);與第1晶體管的發(fā)射極或源極電連接的第2凸點(diǎn);與第2晶體管的集電極或漏極電連接的第3凸點(diǎn);及與第2晶體管的發(fā)射極或源極電連接的第4凸點(diǎn),在俯視半導(dǎo)體基板的主面時,第1凸點(diǎn)呈圓形,第2、第3及第4凸點(diǎn)呈矩形或橢圓形,第2、第3及第4凸點(diǎn)的面積分別比第1凸點(diǎn)的面積要大。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明,能提供一種能縮小安裝面積,并能抑制晶體管的發(fā)熱的影響的半導(dǎo)體芯片。
附圖說明
圖1是形成于本發(fā)明的實施方式1所涉及的半導(dǎo)體芯片的功率放大電路的電路圖。
圖2是本發(fā)明的實施方式1所涉及的半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
圖3是本發(fā)明的實施方式2所涉及的半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
圖4是本發(fā)明的實施方式3所涉及的半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
圖5是本發(fā)明的實施方式4所涉及的半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
圖6是本發(fā)明的實施方式5所涉及的半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
圖7是本發(fā)明的實施方式6所涉及的半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
圖8是本發(fā)明的實施方式7所涉及的半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
圖9是本發(fā)明的實施方式8所涉及的半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
圖10是本發(fā)明的實施方式9所涉及的半導(dǎo)體芯片的俯視圖。
具體實施方式
下面,參照附圖對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。以下附圖的記載中,相同或類似的結(jié)構(gòu)要素以相同或類似的標(biāo)號來表示。附圖是例示,各部分尺寸、形狀是示意性的,不應(yīng)將本發(fā)明的技術(shù)范圍限定于該實施方式來進(jìn)行解釋。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





