[發(fā)明專利]基于電介質薄膜電容特性的抗激光損傷能力的比較方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810068936.6
• 申請日: 2018-01-24
• 公開（公告）號: CN108445046A
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設計）人: 韓敬華;馮國英;范衛(wèi)星;陳紅元;周壽桓
• 申請（專利權）人: 四川大學
• 主分類號: G01N27/00
• 分類號: G01N27/00;G01N27/22
• 代理公司: 成都虹橋專利事務所(普通合伙) 51124
• 代理人: 李凌峰

1.基于電介質薄膜電容特性的抗激光損傷能力的比較方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、針對欲對比的處于光學元件表面的至少兩個薄膜，在保持相同鍍膜條件下，分別在相同類型的硅基底上鍍制相同厚度的薄膜，且確保硅基底上的薄膜與光學元件表面的薄膜一一對應，且特性一致；

步驟2、分別在硅基底薄膜上制作金屬電極，分別構成MOS電容結構；

步驟3、采用半導體標志系統(tǒng)測試各MOS結構的高頻電容-電壓曲線，得到各歸一化電容與電壓的變化曲線；

步驟4、對比各歸一化電容與電壓的變化曲線，判斷其中平帶電壓向正電壓方向移動最大的那一個變化曲線對應的薄膜為抗激光損傷能力最強的薄膜。

2.如權利要求1所述的基于電介質薄膜電容特性的抗激光損傷能力的比較方法，其特征在于，步驟1中，所述欲對比的處于光學元件表面的至少兩個薄膜是指：處于光學元件表面的采用不同鍍膜條件鍍制的相同種類薄膜或處于光學元件表面的不同種類薄膜。

3.如權利要求1所述的基于電介質薄膜電容特性的抗激光損傷能力的比較方法，其特征在于，步驟1中，所述相同類型的硅基底中，相同類型是指N摻雜的硅基底或P摻雜的硅基底。

4.如權利要求1或2或3所述的基于電介質薄膜電容特性的抗激光損傷能力的比較方法，其特征在于，步驟2中，所述分別在硅基底的薄膜上制作金屬電極，各自構成MOS電容結構的方法為：分別在硅基底薄膜上濺射鍍制金屬電極，構成MOS電容結構。