[發(fā)明專利]一種單片硅晶圓氣相HMDS涂布裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810068566.6
• 申請日: 2018-01-24
• 公開（公告）號: CN108080220B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 傅立超;施科科
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波潤華全芯微電子設(shè)備有限公司
• 主分類號: B05C9/14
• 分類號: B05C9/14;B05D3/04
• 代理公司: 北京君恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11466
• 代理人: 張強;鄭黎明

1.一種單片硅晶圓氣相HMDS涂布裝置，其特征為，包括盤體組件和上蓋組件，所述的盤體組件和上蓋組件相互開合，所述的盤體組件與所述的上蓋組件閉合時兩者之間形成涂布腔且兩者密封，所述的上蓋組件與所述的盤體組件之間采用氣體密封結(jié)構(gòu)，所述氣體密封結(jié)構(gòu)內(nèi)氣體壓力大于所述涂布腔內(nèi)壓力，所述的上蓋組件內(nèi)設(shè)置有與所述涂布腔連通的HMDS進氣道和HMDS出氣道，所述的上蓋組件包括上盤蓋，所述的盤體組件包括底托護罩，所述的底托護罩和所述的上盤蓋之間設(shè)置有內(nèi)層密封件和外層密封件，所述的內(nèi)層密封件和所述的外層密封件之間具有縫隙，所述的底托護罩上設(shè)置有與縫隙相連的密封氣體進氣口，所述的內(nèi)層密封件密封壓力大于外層密封件的密封壓力，所述的底托護罩內(nèi)設(shè)置有環(huán)形密封氣道，所述的環(huán)形密封氣道連接所述的縫隙，所述的密封氣體進氣口連通所述環(huán)形密封氣道底部，所述內(nèi)層密封件和外層密封件采用O型圈壓住密封。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單片硅晶圓氣相HMDS涂布裝置，其特征為，所述的上蓋組件包括進氣蓋、進氣上蓋和進氣內(nèi)蓋，所述的進氣蓋設(shè)置在所述的進氣上蓋上，所述的HMDS進氣道和所述的HMDS出氣道設(shè)置在所述的進氣蓋內(nèi)，所述的進氣內(nèi)蓋設(shè)置在所述的進氣蓋下方且所述的進氣內(nèi)蓋上設(shè)置有與所述HMDS出氣道連通的出氣口，所述的進氣上蓋與所述的進氣內(nèi)蓋之間設(shè)置有出氣通道，所述的出氣通道連通所述的HMDS出氣道。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單片硅晶圓氣相HMDS涂布裝置，其特征為，所述的進氣上蓋與所述的上盤蓋之間通過上蓋壓環(huán)固定，所述的上蓋壓環(huán)還連接有運動裝置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種單片硅晶圓氣相HMDS涂布裝置，其特征為，所述的盤體組件包括上盤面和下盤面，所述的上盤面設(shè)置在所述下盤面上方，所述的上盤面用于固定晶圓，所述的下盤面內(nèi)設(shè)置有用于加熱晶圓的加熱裝置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種單片硅晶圓氣相HMDS涂布裝置，其特征為，所述的上盤面設(shè)置在所述進氣內(nèi)蓋正下方。

6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的一種單片硅晶圓氣相HMDS涂布裝置，其特征為，所述的進氣上蓋與所述的上蓋壓環(huán)密封連接，所述的進氣內(nèi)蓋靠近所述上蓋壓環(huán)的邊緣均勻設(shè)置有若干個排氣口。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單片硅晶圓氣相HMDS涂布裝置，其特征為，進行氣體密封的氣體為氮氣。