[發明專利]一種鉍單質納米片復合電極的制備方法及其應用

有效

• 申請號: 201810065925.2
• 申請日: 2018-01-24
• 公開（公告）號: CN108400292B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 周靜;陳江淳;王華;郭林;閆柄屹
• 申請（專利權）人: 東北電力大學
• 主分類號: H01M4/36
• 分類號: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/86
• 代理公司: 吉林市達利專利事務所 22102
• 代理人: 陳傳林

1.一種鉍單質納米片復合電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）將鉍單質金屬置于溶液中，超聲得到前驅體分散液；所述的溶液為去離子水，所述的前驅體分散液具有超薄二維納米結構的氫氧化鉍；

（2）提取步驟（1）制得的前驅體分散液；

（3）將步驟（2）提取的前驅體分散液還原：先將50mg硼氫化鈉溶于40mL去離子水中制得還原溶液，然后將還原溶液逐滴加入到100mL前驅體分散液中，并攪拌1h以充分還原，得到黑色絮體；再將得到的絮體離心，離心所得的沉淀清洗后凍干24h，得到鉍單質納米片；

（4）將步驟（3）所述的鉍單質納米片與石墨烯復合：先將所述的鉍單質納米片16mg分散于2mL氧化石墨溶液中，即2mg/mL，得到混合分散液；再將混合分散液置于真空抽濾機中，真空-0.1MPA，抽濾成圓形直徑為5mm的薄膜；用還原劑水合肼將通過制得的薄膜，在90℃條件下還原10h，之后置于真空干燥箱內，在60℃干燥12h，得到復合電極。

2.根據權利要求1所述的一種鉍單質納米片復合電極的制備方法，其特征在于，所述的鉍單質金屬具有可逆氧化還原電對的鉍金屬材料。

3.根據權利要求1所述的一種鉍單質納米片復合電極的制備方法，其特征在于，所述的復合電極為Bi/rGO。

4.根據權利要求1所述的一種鉍單質納米片復合電極的制備方法，其特征在于，制備得到的鉍單質納米片復合電極應用于鋰離子、鈉離子、鎂離子、鋁離子電池、以及超級電容器。