[發明專利]圖像傳感器及其形成方法

在審

• 申請號: 201810064870.3
• 申請日: 2018-01-23
• 公開（公告）號: CN108281439A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: 王連紅;黃曉櫓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 武振華;吳敏

1.一種圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底具有正面和背面；

自所述半導體襯底的正面對所述半導體襯底進行刻蝕，以形成正面溝槽；

在所述正面溝槽中填充介質材料；

自所述半導體襯底的背面對所述半導體襯底進行刻蝕，以形成背面溝槽，其中，所述背面溝槽與所述正面溝槽一一對應連通，連通的正面溝槽和背面溝槽之間的半導體襯底用于形成光電二極管；

在所述背面溝槽中填充介質材料。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，自所述半導體襯底的正面對所述半導體襯底進行刻蝕，以形成正面溝槽包括：

在所述半導體襯底的正面形成保護層；

在所述保護層的表面形成圖案化的掩膜層；

以所述圖案化的掩膜層為掩膜，對所述保護層和半導體襯底進行刻蝕，以形成正面溝槽。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述介質材料選自：氧化硅、氮化硅、非摻雜多晶硅以及高K材料。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底的正面具有對準標記，自所述半導體襯底的背面對所述半導體襯底進行刻蝕，以形成背面溝槽包括：

在所述半導體襯底的背面形成保護層；

在所述保護層的表面形成圖案化的掩膜層，所述掩膜層的圖案根據所述對準標記進行對準；

以所述圖案化的掩膜層為掩膜，對所述保護層和半導體襯底進行刻蝕，以形成背面溝槽。

5.根據權利要求2或4所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述保護層為：氧化硅和氮化硅的疊層結構，氧化硅，氮化硅，無定形碳層，或者氧化硅、氮化硅和無定形碳的疊層結構。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述正面溝槽的深度為0.5μm至4μm，所述背面溝槽的深度為0.5μm至4μm。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，自所述半導體襯底的背面對所述半導體襯底進行刻蝕，以形成背面溝槽之前，還包括：自背面對所述半導體襯底進行減薄至預設厚度。

8.根據權利要求7所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述預設厚度為2μm至4μm。

9.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底具有正面和背面；

正面溝槽，位于所述半導體襯底的正面，所述正面溝槽內填充有介質材料；

背面溝槽，位于所述半導體襯底的背面，其中，所述背面溝槽與所述正面溝槽一一對應連通，連通的正面溝槽和背面溝槽之間的半導體襯底用于形成光電二極管，所述背面溝槽內填充有介質材料。

10.根據權利要求9所述的圖像傳感器，其特征在于，所述正面溝槽的深度為0.5μm至4μm，所述背面溝槽的深度為0.5μm至4μm。