[發(fā)明專(zhuān)利]場(chǎng)效應(yīng)管的制備方法和場(chǎng)效應(yīng)管在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810064615.9 | 申請(qǐng)日： | 2018-01-23 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110071044A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭小平;葉振強(qiáng);白勝闖;鄧曉嬌;李佳;李志杰;蘇云鵬 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/336 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京華進(jìn)京聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606 | 代理人： | 成丹 |
| 地址： | 100084*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 場(chǎng)效應(yīng)管 碳化硅 襯底 石墨烯薄膜 硅原子 預(yù)設(shè) 載流子遷移率 升華 表面形成 襯底加熱 降低噪聲 場(chǎng)效應(yīng) 沉積源 石墨烯 碳原子 頻段 漏極 重構(gòu) 制備 管制 傳輸 制作 | ||
1.一種場(chǎng)效應(yīng)管的制備方法，其特征在于，包括：
將碳化硅襯底加熱至預(yù)設(shè)溫度；所述預(yù)設(shè)溫度用于使所述碳化硅襯底上的硅原子升華，并使得所述碳化硅襯底上的碳原子在所述硅原子升華后進(jìn)行重構(gòu)，以在所述碳化硅襯底的表面形成一層石墨烯薄膜；
在所述石墨烯薄膜上沉積源極、漏極和柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述石墨烯薄膜上沉積源極、漏極和柵極，包括：
在所述石墨烯薄膜的上表面分別沉積源極和漏極；
對(duì)所述源極和所述漏極之間的石墨烯薄膜進(jìn)行氫化處理，以得到氫化石墨烯薄膜；
在所述氫化石墨烯薄膜上沉積柵介質(zhì)層，并在所述柵介質(zhì)層上沉積所述柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜上沉積源極、漏極和柵極，包括：
在所述石墨烯薄膜的上表面涂覆光刻膠，以得到光刻膠層；
對(duì)所述光刻膠層的部分區(qū)域進(jìn)行光刻，得到氫化窗口，所述石墨烯薄膜的待氫化區(qū)域通過(guò)所述氫化窗口呈現(xiàn)裸露狀態(tài)；
在所形成的結(jié)構(gòu)上去除剩余的光刻膠；
在所形成的結(jié)構(gòu)上分別沉積所述源極和漏極；
對(duì)所述石墨烯薄膜的待氫化區(qū)域進(jìn)行氫化處理，得到氫化石墨烯薄膜，并在所述氫化石墨烯薄膜上沉積柵介質(zhì)層，并在所述柵介質(zhì)層上沉積所述柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層為氧化鋁Al2O3或者氧化鉿HfO2。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述石墨烯薄膜的上表面分別沉積源極和漏極，包括：
在所述石墨烯薄膜兩端的預(yù)設(shè)區(qū)域處分別沉積源極和漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述石墨烯薄膜兩端的預(yù)設(shè)區(qū)域處分別沉積源極和漏極，包括：
在所述石墨烯薄膜兩端的預(yù)設(shè)區(qū)域處分別沉積一層鎳，以形成源極和漏極。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述石墨烯薄膜兩端的預(yù)設(shè)區(qū)域處分別沉積源極和漏極，包括：
在所述石墨烯薄膜兩端的預(yù)設(shè)區(qū)域處分別沉積一層金，以形成一層金薄膜；
在所述金薄膜的表面沉積一層鈦，以形成源極和漏極。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所形成的結(jié)構(gòu)上分別沉積所述源極和漏極，包括：
在所述氫化窗口的兩端分別沉積源極和漏極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述氫化窗口的兩端分別沉積源極和漏極，包括：
在所述氫化窗口的兩端的預(yù)設(shè)區(qū)域處分別沉積一層鎳，以形成源極和漏極。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述氫化窗口的兩端分別沉積源極和漏極，包括：
在所述氫化窗口兩端的預(yù)設(shè)區(qū)域處分別沉積一層金，以形成一層金薄膜；
在所述金薄膜的表面沉積一層鈦，以形成源極和漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度為1400℃。
12.一種場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，包括：碳化硅襯底、位于所述碳化硅襯底表面的石墨烯薄膜，以及位于所述石墨烯薄膜表面的柵極、源極和漏極；
其中，所述石墨烯薄膜為將所述碳化硅襯底加熱至預(yù)設(shè)溫度后所形成的；所述預(yù)設(shè)溫度用于使所述碳化硅襯底上的硅原子升華，并使得所述碳化硅襯底上的碳原子在所述硅原子升華后進(jìn)行重構(gòu)，以在所述碳化硅襯底的表面形成一層石墨烯薄膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
