[發(fā)明專利]粘合劑的成型方法和用該成型方法的表膜構(gòu)件的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810064159.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108345172A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 濱田裕一;簗瀨優(yōu) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03F1/64 | 分類號(hào): | G03F1/64 |
| 代理公司: | 北京市隆安律師事務(wù)所 11323 | 代理人: | 權(quán)鮮枝;侯劍英 |
| 地址: | 日本國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 粘合劑 成型 混入 表膜 氦氣 調(diào)制 氮?dú)?/a> 大氣開(kāi)放 氦氣氣氛 成品率 脫泡性 脫泡 優(yōu)選 加壓 制造 保管 制作 | ||
本發(fā)明的目的在于提供氣泡混入少的粘合劑的成型方法和使用該成型方法的表膜構(gòu)件的制造方法。氦氣與現(xiàn)有的在大氣開(kāi)放下混入的空氣、氮?dú)庀啾龋夥肿拥拇笮≥^小,氦氣的脫泡性良好,因此,本發(fā)明的特征在于,使用在氦氣氣氛下調(diào)制的粘合劑來(lái)進(jìn)行成型。并且,優(yōu)選在該調(diào)制中包括保管、加壓、攪拌或者脫泡中的任意幾個(gè)工序。根據(jù)本發(fā)明,能抑制氣泡混入粘合劑,因此能以高成品率制作粘合劑中氣泡混入少的表膜構(gòu)件。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及粘合劑的成型方法和作為光掩模用防塵罩的表膜構(gòu)件的制造方法。
背景技術(shù)
在制造半導(dǎo)體器件、液晶顯示器等之際的光刻工序中,對(duì)涂敷有抗蝕劑的半導(dǎo)體晶圓、液晶用原板照射光來(lái)制作圖案,但是如果此時(shí)使用的光掩模、中間掩膜(以下,稱為光掩模)上附著有異物,則除了由于該異物吸收光或使光彎折而導(dǎo)致所轉(zhuǎn)印的圖案發(fā)生變形、邊緣粗糙以外,還會(huì)存在基底污黑或者尺寸、質(zhì)量、外觀等受損的問(wèn)題。
這些工序通常在無(wú)塵室內(nèi)進(jìn)行,但是即使如此也難以保證曝光原版總是清潔的,因此,一般采用對(duì)曝光原版設(shè)置被稱為表膜構(gòu)件的除異物用的防塵罩來(lái)進(jìn)行曝光的方法。
該表膜構(gòu)件一般包括:框狀的表膜構(gòu)件框架;張?jiān)O(shè)于表膜構(gòu)件框架的上端面的表膜;以及形成于表膜構(gòu)件框架的下端面的氣密用襯墊等。并且,其中的表膜為對(duì)曝光用光表現(xiàn)出高透射率的材料,氣密用襯墊的材料一般采用粘合劑,發(fā)揮用于將表膜構(gòu)件安裝于光掩模的作用。
只要將這種表膜構(gòu)件設(shè)置于光掩模,異物就不會(huì)直接附著于光掩模,而會(huì)附著在表膜構(gòu)件上。并且,在光刻中只要使焦點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)到光掩模的圖案上,表膜構(gòu)件上的異物就會(huì)與轉(zhuǎn)印無(wú)關(guān),能抑制圖案的變形等問(wèn)題。
然而,在光刻技術(shù)中,隨著圖案的微細(xì)化,為了提高分辨率而推進(jìn)了曝光用光源的短波長(zhǎng)化。并且,目前為止,曝光用光源從水銀燈的g線(436nm)、i線(365nm)轉(zhuǎn)向KrF準(zhǔn)分子激光(248nm)、ArF準(zhǔn)分子激光(193nm),而且也在研究主波長(zhǎng)為13.5nm的EUV(ExtremeUltra Violet:遠(yuǎn)紫外)光的使用。
另一方面,隨著這種圖案的微細(xì)化,關(guān)于用于將表膜構(gòu)件安裝到光掩模的粘合劑,也已要求低缺陷且可靠性高的粘合劑,但是眼下的實(shí)際情況是,若是僅將表膜構(gòu)件安裝于光掩模,則允許一些氣泡等。然而,如果在表膜構(gòu)件框架面所涂敷、成型的粘合劑層中存在氣泡,則在將表膜構(gòu)件貼附于光掩模時(shí),會(huì)發(fā)生緊貼性差等問(wèn)題。
因此,專利文獻(xiàn)1記載了如下對(duì)策:在表膜構(gòu)件框架上形成有機(jī)硅樹(shù)脂的涂層,來(lái)防止表膜構(gòu)件框架的凹部、凹陷、空穴中殘存的空氣成為小氣泡而混入粘合劑層。然而,在該對(duì)策中,存在為了形成涂層而成本變高的問(wèn)題。
特別是最近,隨著圖案的微細(xì)化,在將表膜構(gòu)件貼附于光掩模時(shí),光掩模發(fā)生變形已成為大問(wèn)題。因此,關(guān)于粘合劑,為了抑制這種變形,也已要求將其粘合強(qiáng)度保持為所需要的最小限度且質(zhì)量均勻的粘合劑,也不允許粘合劑中混入小氣泡。
專利文獻(xiàn)1:特開(kāi)2013-15710
發(fā)明內(nèi)容
為了應(yīng)對(duì)這種要求,能通過(guò)粘合劑的質(zhì)量檢查將混入有氣泡的粘合劑作為次品剔除,但是存在工序的成品率會(huì)降低因而并不可取的問(wèn)題。
因此,本發(fā)明的目的在于,鑒于上述實(shí)際情況,提供使用氣泡混入少的粘合劑的成型方法和用該成型方法的表膜構(gòu)件的制造方法。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





