[發明專利]帶隙基準電路及其運算放大器在審
| 申請號： | 201810064039.8 | 申請日： | 2018-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN108287589A | 公開（公告）日： | 2018-07-17 |
| 發明（設計）人： | 向飛翔;常祥嶺;趙海亮;謝雪松;陶園林 | 申請（專利權）人： | 上海貝嶺股份有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/575 | 分類號： | G05F1/575 |
| 代理公司： | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人： | 薛琦;羅朗 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 運算放大器 帶隙基準電路 三極管 輸入端 發射極 輸出端 運算放大器結構 輸出驅動電壓 電流損耗 電路結構 供電電路 偏置電路 增益誤差 配對 電路 改進 | ||
1.一種用于帶隙基準電路的運算放大器，所述運算放大器包括第一輸入端、第二輸入端和第一輸出端，其特征在于，所述運算放大器還包括供電電路；
所述供電電路用于給所述運算放大器供電；
所述第一輸入端包括第一三極管，所述第二輸入端包括第二三極管；
所述第一三極管的基極與所述帶隙基準電路中的電壓正端電連接，所述第一三極管的集電極與所述供電電路的一端電連接，所述第一三極管的發射極接地；
所述第二三極管的基極與所述帶隙基準電路中的電壓負端電連接，所述第二三極管的集電極與所述供電電路的另一端電連接，所述第二三極管的發射極接地；
所述第一三極管的發射極面積大于所述第二三極管的發射極面積；
所述第一輸出端用于輸出驅動電壓。
2.如權利要求1所述的用于帶隙基準電路的運算放大器，其特征在于，所述供電電路包括第一PMOS管和第二PMOS管；
所述第一PMOS管的源極與所述第二PMOS管的源極電連接；
所述第一PMOS管的柵極與所述第二PMOS管的柵極電連接；
所述第一PMOS管的漏極與所述第一三極管的集電極電連接；
所述第二PMOS管的漏極與所述第二三極管的集電極電連接。
3.如權利要求2所述的用于帶隙基準電路的運算放大器，其特征在于，所述運算放大器包括偏置電路；
所述偏置電路的輸出端分別與所述第一PMOS管的漏極和所述第一PMOS管的柵極電連接；
所述偏置電路用于啟動所述運算放大器。
4.如權利要求2所述的用于帶隙基準電路的運算放大器，其特征在于，所述運算放大器還包括緩沖器；
所述緩沖器的輸入端與所述第二PMOS管的漏極電連接，所述緩沖器的輸出端為所述第一輸出端；
所述緩沖器用于對所述第二PMOS管的漏極的輸出電壓進行隔絕處理。
5.如權利要求1所述的用于帶隙基準電路的運算放大器，其特征在于，所述第一三極管和所述第二三極管均為NPN型三極管。
6.如權利要求2所述的用于帶隙基準電路的運算放大器，其特征在于，所述運算放大器還包括第一電阻；
所述第一電阻的一端分別與所述第一三極管的發射極和所述第二三極管的發射極電連接，所述第一電阻的另一端接地。
7.一種帶隙基準電路，其特征在于，所述帶隙基準電路包括如權利要求1-6中任一項所述的運算放大器。
8.如權利要求7所述的帶隙基準電路，其特征在于，所述帶隙基準電路還包括第三三極管、第四三極管和第二電阻；
所述第一輸入端分別與所述第一輸出端和所述第三三極管的集電極電連接；
所述第二輸入端分別與所述第一輸出端和所述第四三極管的集電極電連接；
所述第二電阻的一端分別與所述第三三極管的發射極和所述第四三極管的發射極電連接，所述第二電阻的另一端接地。
9.如權利要求8所述的帶隙基準電路，其特征在于，所述帶隙基準電路還包括第三電阻、第四電阻和第五電阻；
所述第三電阻的一端與所述第一輸入端電連接，另一端與所述第一輸出端電連接；
所述第四電阻的一端與所述第二輸入端電連接，另一端與所述第一輸出端電連接；
所述第五電阻的一端與所述第二輸入端電連接，所述第五電阻的另一端與所述第四三極管的集電極電連接。
10.如權利要求9所述的帶隙基準電路，其特征在于，所述第三電阻的阻值與所述第四電阻的阻值相等。
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