[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201810063223.0
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN108133934B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 李晶粲;李承宰;姜尚范;郭大榮;金明哲;金庸淏
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/11;H01L27/12;H01L21/764
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

提供了一種半導體裝置，該半導體裝置包括：第一柵極圖案，設置在基板的外圍區域中；第二柵極圖案，設置在基板的單元區域中；氣隙，形成在第一柵極圖案的側壁上；以及絕緣件，形成在第二柵極圖案的側壁上，其中，氣隙的介電常數與絕緣件的介電常數不同。

本申請是申請日為2013年8月9日、申請號為201310345516.5、名稱為“半導體裝置及其制造方法”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明構思涉及半導體裝置及其制造方法。

背景技術

電子技術的發展已經引起半導體裝置的小型化。由于許多半導體裝置目前需要快的操作速度和高精確性，所以正在開發用于這些裝置的各種晶體管結構。

發明內容

本發明構思的示例性實施例提供了一種能夠減少柵極與源極和/或漏極之間的電容耦合現象的半導體裝置。

本發明構思的示例性實施例提供了一種能夠減少柵極與源極和/或漏極之間的電容耦合現象的半導體裝置的制造方法。

根據本發明構思的示例性實施例，提供了一種半導體裝置，該半導體裝置包括：第一柵極圖案，設置在基板的外圍區域中；第二柵極圖案，設置在基板的單元區域中；第一絕緣件，形成在第一柵極圖案的側壁上；以及第二絕緣件，形成在第二柵極圖案的側壁上，其中，第一絕緣件的介電常數與第二絕緣件的介電常數不同，以及其中，第二絕緣件的高度大于第二柵極圖案的高度。

第一柵極圖案包括第一高介電常數柵極絕緣膜，第一高介電常數柵極絕緣膜形成在第一柵極圖案的側壁和底表面上，第二柵極圖案包括第二高介電常數柵極絕緣膜，第二高介電常數柵極絕緣膜形成在第二柵極圖案的側壁和底表面上。

第一絕緣件包括氣隙。

第一絕緣件的介電常數小于第二絕緣件的介電常數。

所述半導體裝置還包括層間介電膜，層間介電膜設置在第二柵極圖案上并且位于第二絕緣件之間。

根據本發明構思的示例性實施例，提供了一種半導體裝置，該半導體裝置包括：第一柵極圖案，設置在基板的外圍區域中；第二柵極圖案，設置在基板的單元區域中；第一絕緣件，形成在第一柵極圖案的側壁上；以及第二絕緣件，形成在第二柵極圖案的側壁上，其中，第一絕緣件包括具有第一介電常數的上部和具有第二介電常數的下部，第一介電常數和第二介電常數彼此不同，以及其中，第二絕緣件具有與第一介電常數不同的第三介電常數。

第一絕緣件的上部包括氣隙。

第一柵極圖案包括高介電常數柵極絕緣膜，高介電常數柵極絕緣膜形成在第一柵極圖案的側壁和底表面上，第一絕緣件的下部的厚度小于形成在第一柵極圖案的底表面上的高介電常數柵極絕緣膜的厚度。

根據本發明構思的示例性實施例，提供了一種半導體裝置，該半導體裝置包括：第一柵極圖案，設置在基板的外圍區域中；第二柵極圖案，設置在基板的單元區域中；氣隙，形成在第一柵極圖案的側壁上；以及絕緣件，形成在第二柵極圖案的側壁上，其中，氣隙的介電常數與絕緣件的介電常數不同。

第一柵極圖案包括第一高介電常數柵極絕緣膜，第一高介電常數柵極絕緣膜形成在第一柵極圖案的側壁和底表面上，第二柵極圖案包括第二高介電常數柵極絕緣膜，第二高介電常數柵極絕緣膜形成在第二柵極圖案的側壁和底表面上。

氣隙被襯里圍繞。

襯里包括低介電常數的材料。

所述半導體裝置還包括接觸件，接觸件電連接到外圍區域中的源極/漏極，其中，接觸件的頂表面高于第一柵極圖案的頂表面，源極/漏極鄰近第一柵極圖案。

接觸件的側壁是階梯式的，使得接觸件的下部的寬度小于接觸件的上部的寬度。

氣隙的介電常數小于絕緣件的介電常數。