[發(fā)明專(zhuān)利]保護(hù)裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810063214.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108573970A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 副島成雅;鈴木隆司;島健悟;蟹江陽(yáng)介;足立和也 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社東海理化電機(jī)制作所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/08 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/08 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艷君;李洋 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電層 絕緣層 電連接 保護(hù)裝置 半導(dǎo)體基板 低通濾波器 接地端子 輸出端子 輸入端子 電容器 低電位側(cè)端子 高電位側(cè)端子 無(wú)源元件 細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)體 二維 平行 覆蓋 | ||
1.一種保護(hù)裝置,其中,具備:
半導(dǎo)體基板,形成有若被施加過(guò)載則接通的保護(hù)元件;
絕緣層,覆蓋上述半導(dǎo)體基板的表面;
導(dǎo)電層,設(shè)置于上述絕緣層,在與上述半導(dǎo)體基板的表面平行的面內(nèi)擴(kuò)展;
無(wú)源元件,是線圈和電阻中的任一方的無(wú)源元件,由細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)體制成,在上述導(dǎo)電層的上方且與上述導(dǎo)電層平行的面內(nèi)彎曲為螺旋狀或者之字形;以及
在上述絕緣層的表層露出的輸入端子、輸出端子及接地端子,
上述輸入端子與上述無(wú)源元件的一端電連接,
上述無(wú)源元件的另一端以及上述保護(hù)元件的高電位側(cè)端子與上述輸出端子電連接,
上述保護(hù)元件的低電位側(cè)端子以及上述導(dǎo)電層與上述接地端子電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)裝置,其特征在于,還具備:
其它的無(wú)源元件,是線圈和電阻中的任一方的其它的無(wú)源元件,由其它的細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)體制成,在上述導(dǎo)電層與上述半導(dǎo)體基板之間且在與上述導(dǎo)電層平行的面內(nèi)彎曲為螺旋狀或者之字形,在上述無(wú)源元件的另一端和上述高電位側(cè)端子的連接點(diǎn)與上述輸出端子之間電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)裝置,其特征在于,
上述細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)體與上述導(dǎo)電層之間的寄生電容比上述保護(hù)元件與上述導(dǎo)電層之間的寄生電容大。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護(hù)裝置,其特征在于,
上述其它的細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)體與上述導(dǎo)電層之間的寄生電容比上述保護(hù)元件與上述其它的細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)體之間的寄生電容大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的保護(hù)裝置,其特征在于,
上述保護(hù)元件包括齊納二極管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的保護(hù)裝置,其特征在于,
上述保護(hù)元件包括閘流晶體管。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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