[發(fā)明專利]一種高強(qiáng)度抗氧化鋁合金復(fù)合門及其制備工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810062524.1 | 申請日: | 2018-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN108277398A | 公開(公告)日: | 2018-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 汪中奇 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥伊只門窗有限公司 |
| 主分類號: | C22C21/02 | 分類號: | C22C21/02;C22C1/02;C22F1/04;C25D11/04;C23C28/04;C23C14/24;C23C14/06 |
| 代理公司: | 合肥道正企智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34130 | 代理人: | 張浩 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復(fù)合門 氧化鋁合金 制備工藝 抗氧化性能 重量百分比 | ||
1.一種高強(qiáng)度抗氧化鋁合金復(fù)合門,其特征在于:包括如下重量百分比計(jì)的成分:
碳:0.3%-0.5%、銅:0.2%-0.4%、鎂:0.08%-0.12%、硅:1%-3%、硼:0.2%- 0.4%、鐵:0.06%-0.08%、鎳:0.03%-0.06%、鈦:0.04%-0.08%、鋯:0.05%-0.09%、鍶: 0.05%-0.07%、鈷:0.02%-0.05%,其余為鋁和不可避免的雜質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高強(qiáng)度抗氧化鋁合金復(fù)合門,其特征在于:包括如下重量百分比計(jì)的成分:碳:0.4%、銅:0.3%、鎂:0.1%、硅:2%、硼:0.3%、鐵:0.07%、鎳:0.04%、鈦:0.06%、鋯:0.07%、鍶:0.06%、鈷:0.03%,其余為鋁和不可避免的雜質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高強(qiáng)度抗氧化鋁合金復(fù)合門,其特征在于:所述不可避免的雜質(zhì)的質(zhì)量百分比小于或等于0.05%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高強(qiáng)度抗氧化鋁合金復(fù)合門的制備工藝,其特征在于:包括以下步驟:
(1)按照重量百分比稱取所需原料;
(2)將所述原料輸送至熔煉爐進(jìn)行熔化處理,并熔化后合金液澆入模具中,得到復(fù)合門門芯;
(3)將復(fù)合門門芯進(jìn)行熱處理工藝;
(4)將經(jīng)過熱處理后的復(fù)合門門芯作為陽極,浸入硫酸重量含量為18-22%的電解 液中進(jìn)行陽極氧化,使得復(fù)合門門芯外表面電鍍第一防護(hù)層;
(5)在第一防護(hù)層上通過氣相沉積方式沉積第二防護(hù)層;
(6)將復(fù)合門門芯表面進(jìn)行清洗,擦拭,即得復(fù)合門。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高強(qiáng)度抗氧化鋁合金復(fù)合門的制備工藝,其特征在于:所述步驟(2)中的融化處理包括:先將所述鋁和雜質(zhì)輸送至熔煉爐中,同時(shí)通入稀有氣體作為保護(hù)氣體,控制熔煉爐溫度為680-720℃,保持40-50min;然后將熔煉爐升溫至720-780℃,放入碳、銅、鎂、硅、硼、鐵、鎳,保持20-40min;再將熔煉爐升溫至900-1000℃,依次加入鈦、鋯、鍶、鈷,待合金元素完全熔化后,攪拌20-30min,保持740-760℃靜置20-30min。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高強(qiáng)度抗氧化鋁合金復(fù)合門的制備工藝,其特征在于:所述步驟(3)中的熱處理工藝包括退火處理、淬火處理和回火處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高強(qiáng)度抗氧化鋁合金復(fù)合門的制備工藝,其特征在于:所述步驟(4)中陽極氧化的條件:電流密度2000-2200A/m2、工作電壓10-12V、電解溫度18-22℃、電解氧化時(shí)間12-16min。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高強(qiáng)度抗氧化鋁合金復(fù)合門的制備工藝,其特征在于:所述步驟(4)中第一過渡層為氧化鋁層。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高強(qiáng)度抗氧化鋁合金復(fù)合門的制備工藝,其特征在于:
所述步驟(5)中第二防護(hù)層為低溫氮化鎵層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高強(qiáng)度抗氧化鋁合金復(fù)合門的制備工藝,其特征在于:
所述低溫氮化鎵層是在400-500℃下通過氣相沉積蒸鍍在所述氧化鋁層上。
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