[發(fā)明專利]In2(SxSe1-x)3薄膜材料的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810062500.6
• 申請(qǐng)日: 2018-01-23
• 公開（公告）號(hào): CN108251811A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉芳洋;康亮亮;翁娜娜;蔣良興;李靖;張陽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中南大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58
• 代理公司: 長沙智德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 43207
• 代理人: 陳銘浩

1.一種In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜材料的制備方法，其特征在于，包括：

第一步，對(duì)基材表面進(jìn)行清潔處理；

第二步，在清潔處理后的基材表面通過磁控反應(yīng)濺射法一步沉積In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜，其中，0≤x≤1；

第三步，對(duì)In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜表面進(jìn)行刻蝕處理。

2.如權(quán)利要求1所述的In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述第二步中，采用的陰極靶為銦源靶材和/或硫?qū)侔胁摹?/p>

3.如權(quán)利要求2所述的In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述第二步中，所述陰極靶采用的電源為直流電源或射頻電源。

4.如權(quán)利要求2所述的In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜材料的制備方法，其特征在于，當(dāng)x＝0時(shí)，所述銦源靶材為In靶、In₂Se₃靶或In-Se合金靶中的任一種，所述硫?qū)侔胁臑镾e靶材、In₂Se₃靶或In-Se合金靶中的任一種；當(dāng)0<x<1時(shí)，所述銦源靶材為In靶、In₂S₃靶、In₂Se₃靶、In₂(S_xSe_1-x)₃靶、In-S合金靶、In-Se合金靶或In-S-Se合金靶中的任一種；所述硫?qū)侔胁臑镾靶材、Se靶材、In₂S₃靶、In₂Se₃靶、In₂(S_xSe_1-x)₃靶、S_xSe_1-x靶、S-Se靶、In-S合金靶、In-Se合金靶或In-S-Se合金靶中的任一種；當(dāng)x＝1時(shí)，所述銦源靶材為In靶、In₂S₃靶或In-S合金靶中的任一種，所述硫?qū)侔胁臑镾靶材、In₂S₃或In-S合金靶中的任一種。

5.如權(quán)利要求2-4任一項(xiàng)所述的In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜材料的制備方法，其特征在于，當(dāng)x＝1時(shí)，采用的濺射氣體為硫化氫和氬氣的混合氣體；當(dāng)x＝0時(shí)，采用的濺射氣體為硒化氫和氬氣的混合氣體；當(dāng)0<x<1時(shí)，采用的濺射氣體為硫化氫或硒化氫中的至少一種以及氬氣的混合氣體。

6.如權(quán)利要求5所述的In₂(S_xSe_1-x)₃薄膜材料的制備方法，其特征在于，氬氣氣體流量為1～1000sccm，硫化氫和硒化氫氣體流量均為1～1000sccm，濺射室內(nèi)壓強(qiáng)為0.05Pa～15Pa，靶材與基材的距離為3～18cm，陰極靶的濺射功率密度為0.5～100W/cm²，沉積時(shí)間為1～300min，基材溫度為30～700℃，并以1～1000r/min的速率旋轉(zhuǎn)所述基材。