[發明專利]一種溴摻雜的高導電超薄石墨烯膜的制備方法

有效

• 申請號: 201810061894.3
• 申請日: 2018-01-23
• 公開（公告）號: CN108249424B
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: 高超;彭蠡;許震
• 申請（專利權）人: 長興德烯科技有限公司
• 主分類號: C01B32/184
• 分類號: C01B32/184
• 代理公司: 33200 杭州求是專利事務所有限公司
• 代理人: 黃歡娣;邱啟旺

1.一種溴摻雜的高導電超薄石墨烯膜的制備方法，其特征在于，包含如下步驟：

（1）將氧化石墨烯配制成濃度為0.5-10μg/mL氧化石墨烯水溶液，以AAO膜為基底抽濾成膜；

（2）將貼附于AAO的氧化石墨烯膜置于密閉容器中，80-100度HI高溫從底部往上熏蒸0.1-1h；

（3）將融化的固體轉移劑均勻涂敷在還原氧化石墨烯膜表面，并于室溫下自然冷卻，直到基底膜自然脫落；

（4）將上述得到的固體轉移劑支撐的石墨烯膜在固體轉移劑揮發的溫度下揮發掉固體轉移劑，得到獨立自支撐的石墨烯膜；

（5）將上述獨立自支撐石墨烯膜置于高溫爐中，升溫至3000攝氏度，修復石墨烯膜結構，去除內部缺陷；

（6）將步驟（5）處理后的石墨烯膜和一定量的液溴置于同一密封的容器中，其中液溴的量m與容器容積v滿足：m/v=1g/L，然后將整個容器用液氮冰凍后抽真空直至將空氣完全抽除；室溫下自然解凍后放入30-40攝氏度的烘箱中加熱12-24小時，得到溴摻雜的石墨烯膜。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的固體轉移劑選自石蠟、萘、樟腦、降冰片烯、松香。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的固體轉移劑的升華溫度要控制在320度以下；升華壓力以及環境含氧量根據物性而定。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟（5）中的升溫過程如下：0-2000攝氏度，5-20攝氏度每分鐘；2000-3000攝氏度，2-5攝氏度每分鐘。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟（3）中，通過蒸鍍、流延將融化的固體轉移劑均勻涂敷在還原氧化石墨烯膜表面。